VeTek semiconductor er en ledende produsent av tantalkarbidbeleggmaterialer for halvlederindustrien. Våre hovedprodukttilbud inkluderer CVD-tantalkarbidbeleggdeler, sintrede TaC-beleggsdeler for SiC-krystallvekst eller halvlederepitaksiprosess. Bestått ISO9001, VeTek Semiconductor har god kontroll på kvalitet. VeTek Semiconductor er dedikert til å bli innovatør i tantalkarbidbeleggindustrien gjennom pågående forskning og utvikling av iterative teknologier.
Hovedproduktene er TaC-belagt guidering, CVD TaC-belagt tre-blads-styrering, Tantalkarbid TaC-belagt halvmåne, CVD TaC-belegg planetarisk SiC epitaksial susceptor, Tantalkarbidbeleggring, tantalkarbidbelagt porøs grafitt, TaC-belegg Rotasjonssusceptor, TaC-coating, Plata Carbide-ring, TaC-coating susceptor, TaC Coated Deflector Ring, CVD TaC Coating Cover, TaC Coated Chuck etc., renheten er under 5 ppm, kan møte kundenes krav.
TaC-beleggsgrafitt lages ved å belegge overflaten av et grafittsubstrat med høy renhet med et fint lag av tantalkarbid ved en proprietær prosess for kjemisk dampavsetning (CVD). Fordelen er vist på bildet nedenfor:
Tantalkarbidbelegget (TaC) har fått oppmerksomhet på grunn av dets høye smeltepunkt på opptil 3880 °C, utmerket mekanisk styrke, hardhet og motstand mot termiske støt, noe som gjør det til et attraktivt alternativ til sammensatte halvlederepitaksiprosesser med høyere temperaturkrav, slik som Aixtron MOCVD-system og LPE SiC-epitaksi-metoden har også en bred vekstprosess i CPV.
Nøkkelfunksjoner
● Temperaturstabilitet opp til 2500°C med utmerket motstand mot termisk sjokk.
● Ultrahøy renhet (<5ppm) og sterk vedheft til grafitt for minimal partikkelgenerering.
● Overlegen motstand mot H₂-, NH₃-, SiH₄- og Si-damper i tøffe prosessmiljøer.
● Konform beleggdekning med størrelseskapasitet på opptil 750 mm diameter, unikt tilgjengelig i Kina.
Produktspesifikasjon
Parameter for VeTek Semiconductor Tantalkarbidbelegg:
| Fysiske egenskaper til TaC-belegg |
| Tetthet |
14,3 g/cm³ |
| Hardhet |
2000 HK |
| Termisk ekspansjon |
6,3×10⁻⁶/K |
| Motstand |
1×10⁻⁵ Ohm·cm |
| Termisk stabilitet |
<2500°C |
| Beleggtykkelse |
≥20μm (typisk 35±10μm) |
karbid (TaC) belegg på et mikroskopisk tverrsnitt:
TaC belegg EDX data:
TaC belegg krystallstruktur data:
| Element |
Atomprosent |
|
|
Pt. 1 |
Pt. 2 |
Pt. 3 |
Gjennomsnittlig |
| C K |
52.10
|
57.41
|
52.37
|
53.96
|
| Ta M |
47.90
|
42.59
|
47.63
|
46.04
|
Søknader
For å møte de ulike behovene til halvlederprosesser, tilbyr VeTek målrettede tantalkarbidbeleggprodukter. Følgende tabell klassifiserer dem etter hovedbruksområder, og viser typiske komponenter og aktuelle prosesser:
| Søknadsfelt |
Typiske produkter |
Søknadsbeskrivelse |
| SiC Epitaksi |
CVD TaC-belagt planetsusceptor,TaC-belagt wafer-susceptor,TaC-belagt styrering
|
Egnet for høytemperatur SiC epitaksiale prosesser (f.eks. LPE-metoden), og gir høy termisk stabilitet og et grensesnitt med lav kontaminering for å sikre ensartet film. |
| GaN / LED-epitaksi (MOCVD) |
Dusjhode, satellittskive, maskeringsring, varmeskjold, injeksjonsdyse |
Egnet for Aixtron MOCVD-systemer, motstandsdyktig mot H₂/NH₃-korrosjon, reduserer partikkelforurensning og forbedrer LED-epitaksialt utbytte. |
| SiC Crystal Growth (PVT-metode) |
TaC-belagt porøs grafitt,TaC-belagt halvmåne,styrering,dekke,chuck
|
Brukt i PVT SiC ingot-vekst, tåler opptil 2500°C, forhindrer grafittreaksjoner og sikrer krystallrenhet. |
| Høytemperaturoppvarming og støttekomponenter |
Induktiv varmemottaker,resistivt varmeelement, waferbærer
|
Egnet for induksjons- eller resistive varmesystemer, tilbyr høy hardhet og termisk støtmotstand, og forlenger komponentens levetid med 3–5 ganger. |
For mer detaljerte prosessmatchingsløsninger, seSilisiumkarbidepitaxirelatert applikasjonsside.
Vi støtter tilpassede tjenester basert på kundens behov. Bestått ISO9001 med god kvalitetskontroll.
Velkommen til å kontakte oss for videre konsultasjon eller legg igjen en melding
