TAC -belegg undergis

Vetek Semiconductors TAC -belagte sensekter ogTAC belagtringeArbeid sammen i LPE Silicon Carbide Epitaxial Growth Reactor:

● Motstand med høy temperatur:TAC -beleggSOMSECTOR har utmerket høye temperaturmotstand, i stand til å motstå de ekstreme temperaturene opp til 1500 ° C iLPE -reaktor. Dette sikrer at utstyret og komponentene ikke deformeres eller blir skadet under langvarig drift.

● Kjemisk stabilitet: TAC -beleggets mottakor presterer usedvanlig bra i det etsende silisiumkarbidvekstmiljøet, og effektivt beskytter reaktorkomponentene fra etsende kjemisk angrep, og forlenger dermed levetiden.

● Termisk stabilitet: TAC-beleggets mottakoren har god termisk stabilitet, og opprettholder overflatemorfologien og ruheten for å sikre enhetligheten til temperaturfeltet i reaktoren, noe som er gunstig for høykvalitetsveksten av silisiumkarbidens epitaksiale lag.

● Anti-forurensning: Den glatte TAC -belagte overflaten og overlegen TPD (temperaturprogrammert desorpsjon) ytelse kan minimere akkumulering og adsorpsjon av partikler og urenheter inne i reaktoren, og forhindre forurensning av epitaksiale lag.

Oppsummert spiller TAC-belagte masceptor og ring en kritisk beskyttende rolle i LPE-silisiumkarbid epitaksial vekstreaktor, og sikrer den langsiktige stabile driften av utstyret og veksten av høy kvalitet av epitaksiale lag.