Nettmeny

Produktsøk

Språk

Produkter

Tantalkarbidbelegg

VeTek semiconductor er en ledende produsent av tantalkarbidbeleggmaterialer for halvlederindustrien. Våre hovedprodukttilbud inkluderer CVD-tantalkarbidbeleggdeler, sintrede TaC-beleggsdeler for SiC-krystallvekst eller halvlederepitaksiprosess. Bestått ISO9001, VeTek Semiconductor har god kontroll på kvalitet. VeTek Semiconductor er dedikert til å bli innovatør i tantalkarbidbeleggindustrien gjennom pågående forskning og utvikling av iterative teknologier.


Hovedproduktene erTaC-belagt styrering, CVD TaC-belagt styrering med tre kronblad, Tantalkarbid TaC-belagt halvmåne, CVD TaC-belegg planetarisk SiC epitaksial susceptor, Tantalkarbidbeleggring, Tantalkarbidbelagt porøs grafitt, TaC Coating Rotasjons Susceptor, Tantalkarbidring, TaC belegg rotasjonsplate, TaC-belagt wafer-susceptor, TaC-belagt deflektorring, CVD TaC beleggdeksel, TaC-belagt Chucketc., renheten er under 5 ppm, kan møte kundens krav.


TaC-beleggsgrafitt lages ved å belegge overflaten av et grafittsubstrat med høy renhet med et fint lag tantalkarbid ved en proprietær prosess for kjemisk dampavsetning (CVD). Fordelen er vist på bildet nedenfor:


Excellent properties of TaC coating graphite


Tantalkarbidbelegget (TaC) har fått oppmerksomhet på grunn av dets høye smeltepunkt på opptil 3880°C, utmerket mekanisk styrke, hardhet og motstand mot termiske støt, noe som gjør det til et attraktivt alternativ til sammensatte halvlederepitaksiske prosesser med høyere temperaturkrav, slik som Aixtron MOCVD-system og LPE SiC-epitaksiprosess. Den har også en bred anvendelse i PVT-metoden SiC-krystallvekstprosessen.


Nøkkelfunksjoner:

 ●Temperaturstabilitet

 ●Ultra høy renhet

 ●Motstand mot H2, NH3, SiH4,Si

 ●Motstand mot termisk lager

 ●Sterk vedheft til grafitt

 ●Konform beleggdekning

 ● Størrelse opptil 750 mm diameter (den eneste produsenten i Kina når denne størrelsen)


Søknader:

 ●Waferbærer

 ● Induktiv varmemottaker

 ● Resistivt varmeelement

 ●Satellitt disk

 ●Dusjhode

 ●Føringsring

 ●LED Epi-mottaker

 ●Injeksjonsdyse

 ●Maskeringsring

 ● Varmeskjold


Tantalkarbid (TaC) belegg på et mikroskopisk tverrsnitt:


the microscopic cross-section of Tantalum carbide (TaC) coating


Parameter for VeTek Semiconductor Tantalkarbidbelegg:

Fysiske egenskaper til TaC-belegg
Tetthet 14,3 (g/cm³)
Spesifikk emissivitet 0.3
Termisk ekspansjonskoeffisient 6,3 10-6/K
Hardhet (HK) 2000 HK
Motstand 1×10-5Ohm*cm
Termisk stabilitet <2500℃
Grafittstørrelsen endres -10~-20um
Beleggtykkelse ≥20um typisk verdi (35um±10um)


TaC-belegg EDX-data：

EDX data of TaC coating


TaC belegg krystallstruktur data:

Element Atomprosent
Pt. 1 Pt. 2 Pt. 3 Gjennomsnittlig
C K 52.10 57.41 52.37 53.96
M 47.90 42.59 47.63 46.04


View as  
 
TAC -belagt grafittvaferbærer

TAC -belagt grafittvaferbærer

VeTek Semiconductor har nøye designet TaC Coated Graphite Wafer Carrier for kunder. Den er sammensatt av grafitt og TaC-belegg med høy renhet, som er egnet for ulike epitaksiale wafer-behandlinger. Vi har vært spesialisert på SiC og TaC-belegg i mange år. Sammenlignet med SiC-belegg har vår TaC-belagte grafittplatebærer høyere temperaturmotstand og slitestyrke. Vi ser frem til å bli din langsiktige partner i Kina.
Se mer >> Send forespørsel >>
Som profesjonell Tantalkarbidbelegg produsent og leverandør i Kina har vi vår egen fabrikk. Enten du trenger tilpassede tjenester for å imøtekomme de spesifikke behovene i regionen din eller ønsker å kjøpe avansert og holdbar Tantalkarbidbelegg laget i Kina, kan du gi oss en melding.
Nyhetsanbefalinger
Materiale av silisiumkarbid epitaxy
Materiale av silisiumkarbid epitaxySe mer >>
Hvordan oppnå krystallvekst av høy kvalitet? - Sic Crystal Growth Furnace
Hvordan oppnå krystallvekst av høy kvalitet? - Sic Crystal Growth FurnaceSe mer >>
Hvordan forbedrer SIC -belegg oksidasjonsmotstanden til karbon？
Hvordan forbedrer SIC -belegg oksidasjonsmotstanden til karbon？Se mer >>
Hva er forskjellene mellom MBE- og MOCVD-teknologier?
Hva er forskjellene mellom MBE- og MOCVD-teknologier?Se mer >>
Hvilke utfordringer står CVD TaC-beleggsprosessen for SiC-enkeltkrystallvekst overfor i halvlederbehandling?
Hvilke utfordringer står CVD TaC-beleggsprosessen for SiC-enkeltkrystallvekst overfor i halvlederbehandling?Se mer >>
Termisk feltdesign for sic enkeltkrystallvekst
Termisk feltdesign for sic enkeltkrystallvekstSe mer >>
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept