TaC Coated Graphite Wafer Cover Ring

Kjerne tekniske fordeler

• Eksepsjonell kjemisk motstand: Konstruert for å tåle sterke etsende gasser (H₂, NH₃, HCl) ved temperaturer mellom 1200°C og 2000°C.

• Termisk ekspansjonsmatching: Vår proprietære CVD-prosess sikrer at TaC-belegget har en optimalisert CTE (Coefficient of Thermal Expansion)-match med grafittsubstratet, og forhindrer avskalling eller sprekker under rask termisk syklus.

• Overlegen partikkelkontroll: Ved å forsegle den porøse grafitten fullstendig, eliminerer TaC-laget partikkelavgivelse, noe som direkte øker waferutbyttet og reduserer reaktorens nedetid.

• Forlenget levetid: Svært slitesterk overflate som tåler gjentatte rengjøringssykluser, og gir betydelig lavere eierkostnader (CoO) sammenlignet med ubestrøket eller SiC-belagt alternativer.

Tantalkarbid (TaC) belegg på et mikroskopisk tverrsnitt

Produktparameter for TaC Coated Graphite Wafer Cover Ring

Hvorfor velge våre TaC dekkringer?

Vi forstår at i halvlederfabrikasjon er pålitelighet lik lønnsomhet. Våre TaC Coated Graphite Wafer Cover Rings er batch-testet for beleggtetthet og renhet. Enten du går over fra 6-tommers til 8-tommers wafer-produksjon eller optimaliserer en høytemperatur-MOCVD-prosess, gir ringene våre den termiske og kjemiske skjermingen som er nødvendig for epitaksi i verdensklasse.