Produkter
CVD Tantalkarbid (TaC) belagt Susceptor
  • CVD Tantalkarbid (TaC) belagt SusceptorCVD Tantalkarbid (TaC) belagt Susceptor
  • CVD Tantalkarbid (TaC) belagt SusceptorCVD Tantalkarbid (TaC) belagt Susceptor
  • CVD Tantalkarbid (TaC) belagt SusceptorCVD Tantalkarbid (TaC) belagt Susceptor

CVD Tantalkarbid (TaC) belagt Susceptor

VETEK CVD TaC Coated Susceptor kombinerer et isostatisk grafittsubstrat med høy renhet med et tett CVD-tantalkarbid (TaC)-belegg for å levere eksepsjonell termisk stabilitet, korrosjonsmotstand og lav partikkelgenerering for krevende halvlederepitaksi. Designet for SiC, GaN og AlN epitaksial vekst, minimerer det forurensning, forbedrer wafertemperaturens ensartethet og forlenger komponentens levetid i høytemperatur MOCVD- og CVD-prosesser.

Nøkkelfunksjoner

Høytemperaturstabilitet: Opprettholder stabil ytelse under langvarig høytemperaturbehandlingsforhold.
Korrosjonsbestandighet: Det tette TaC-belegget gir effektiv beskyttelse mot korrosive prosessgasser.
Lav partikkelgenerering: En tett beleggstruktur bidrar til å redusere forurensning under epitaksial vekst.
Utmerket termisk enhetlighet:  Støtter jevn varmefordeling for forbedret prosesskonsistens.
Lang levetid: Høy slitestyrke bidrar til redusert vedlikehold og lengre driftssykluser.


Søknader

Typiske bruksområder inkluderer:

• SiC epitaksial vekst

• GaN MOCVD epitaksi

• AlN epitaksial vekst

• Tredje generasjons halvlederproduksjon

• Høyeffektelektronikk

• RF-enheter

• MicroLED-produksjon

• Forsknings- og pilotproduksjonssystemer


Kompatibelt utstyr

Kompatible plattformer inkluderer:

• Aixtron

• LPE

• Veeco

• AMEC

• NuFlare

• Tilpassede CVD- og MOCVD-reaktorer


Også tilgjengelig:

• Wafer Carriers

• Planetariske mottakere

• Tønnesusceptorer

• Rotasjonsskiver

• Halvmånedeler

• Dekkplater

• Grafittmonteringer

• Egendefinerte termiske feltkomponenter


Tekniske spesifikasjoner

Underlagsmateriale

Isostatisk grafitt med høy renhet

Beleggmateriale

CVD Tantalkarbid (TaC)

Beleggtykkelse
20–40 μm (tilpassbar)
Belegg Renhet
Opptil 99,9995 %
Maksimal arbeidstemperatur

>2000°C (inert atmosfære)

Tetthet
14,3 g/cm³
Hardhet
~2000 HK
Termisk ekspansjonskoeffisient
6,3 × 10⁻⁶/K
Elektrisk resistivitet
1 × 10⁻⁵ Ω·cm
Tilgjengelige størrelser
Tilpasset
Typiske applikasjoner
SiC, GaN, AlN epitaksi

Ofte stilte spørsmål

1. Hva er en CVD TaC-belagt susceptor?

En grafittkomponent med høy renhet beskyttet av et tett CVD TaC-belegg brukt som waferbærer under epitaksial vekst.

2. Hvorfor bruke TaC coating i stedet for SiC-belegg?

TaC gir høyere temperaturbestandighet, overlegen kjemisk stabilitet og lengre levetid.

3.Hvilke halvlederprosesser bruker TaC-coed susceptorer?

SiC-epitaksi, GaN MOCVD, AlN-epitaksi og andre høytemperatur-krystallvekstprosesser.

4. Kan VETEK produsere tilpassede susceptorer?

Ja. Vi tilbyr tilpassede design basert på kundetegninger og prosesskrav.

5. Hvilke reaktormerker støttes?

Aixtron, LPE, Veeco, AMEC, NuFlare og andre vanlige systemer.


Hot Tags: CVD TaC-belagt susceptor, TaC-belagt grafitt-susceptor, halvleder-susceptor, SiC-epitaksi-susceptor, MOCVD-susceptor, grafittwafer-bærer, tantalkarbidbelegg, epitaksial-susceptor, halvledergrafittdeler
Send forespørsel
Kontaktinfo
For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
X
Vi bruker informasjonskapsler for å gi deg en bedre nettleseropplevelse, analysere nettstedstrafikk og tilpasse innhold. Ved å bruke denne siden godtar du vår bruk av informasjonskapsler.Personvernerklæring