Silisium epitaksi

Silisiumepitaksi, EPI,Epitaksi, Epitaksial refererer til veksten av et lag av krystall med samme krystallretning og forskjellig krystalltykkelse på et enkelt krystallinsk silisiumsubstrat. Epitaksial vekstteknologi er nødvendig for produksjon av halvlederdiskrete komponenter og integrerte kretser, fordi urenhetene i halvledere inkluderer N-type og P-type. Gjennom en kombinasjon av forskjellige typer, utviser halvlederenheter en rekke funksjoner.

Silisiumepitaksi-vekstmetoden kan deles inn i gassfase-epitaksi, væskefase-epitaksi (LPE), fastfase-epitaksi, kjemisk dampavsetningsvekstmetode er mye brukt i verden for å møte gitterintegriteten.

Typisk silisium epitaksielt utstyr er representert av det italienske selskapet LPE, som har pannekake epitaksial hy pnotic tor, fat type hy pnotic tor, halvleder hy pnotic, wafer carrier og så videre. Det skjematiske diagrammet av et tønneformet epitaksielt hy pelector-reaksjonskammer er som følger. VeTek Semiconductor kan tilby tønneformet epitaksial hy pelector. Kvaliteten på SiC-belagt HY pelector er svært moden. Kvalitet tilsvarende SGL; Samtidig kan VeTek Semiconductor også gi silisium epitaksial reaksjonshulrom kvartsdyse, kvarts Baffle, klokkekrukke og andre komplette produkter.

Vertial epitaksial susceptor for silisium epitaksi:

VeTek Semiconductors viktigste vertikale epitaksiale susceptorprodukter

SiC Coated Graphite Barrel Susceptor for EPI SiC Coated Barrel Susceptor CVD SiC Coated Barrel Susceptor LPE SI EPI Reseptorsett

Horisontal epitaksial susceptor for silisiumepitaksi:

Vetek Semiconductors viktigste horisontale epitaksiale susceptorprodukter

SiC-belegg Monokrystallinsk silisium epitaksialt brett SiC-belagt støtte for LPE PE2061S Roterende grafittmottaker