SIC -pulver med høy renhet

1.

2. Utmerkede fysiske egenskaper: inkludert høy hardhet, høy styrke og høy slitestyrke, slik at den kan opprettholde god strukturell stabilitet under prosessering og bruk.

3. Høy termisk ledningsevne: Kan raskt lede varme, bidra til å forbedre enhetens effektivitet på enheten, redusere driftstemperaturen og dermed forlenge enheten til enheten.

4.

5. God kjemisk stabilitet: Syre- og alkalikorrosjonsbestandighet, kan forbli stabil i komplekst kjemisk miljø.

6. Brede båndgapegenskaper: med høy nedbrytning av elektrisk feltstyrke og elektronmetningshastighet, egnet for produksjon av høye temperaturer, høye trykk, høye frekvenser og høye effekt -halvlederenheter.

7. Høy elektronmobilitet: Det bidrar til å forbedre arbeidshastigheten og effektiviteten til halvlederenheter.

8. Miljøvern: Relativt liten forurensning til miljøet i prosessen med produksjon og bruk.

Halvlederindustri:

- Substratmateriale: SIC-pulver med høy renhet kan brukes til å produsere silisiumkarbidsubstrat, som kan brukes til å produsere høyfrekvente, høye temperaturer, høytrykksstyrkeenheter og RF-enheter.

Epitaksial vekst: I halvlederproduksjonsprosessen kan silisiumkarbidpulver med høy renhet brukes som råstoff for epitaksial vekst, som brukes til å vokse høykvalitets silisiumkarbid epitaksiale lag på underlaget.

-Packagaging Materials: Silisiumkarbidpulver med høy renhet kan brukes til å produsere halvlederemballasjematerialer for å forbedre ytelsesytelsen og påliteligheten til pakken.

Fotovoltaisk industri:

Krystallinske silisiumceller: I produksjonsprosessen med krystallinske silisiumceller kan silisiumkarbidpulver med høy renhet brukes som en diffusjonskilde for dannelse av P-N-kryss.

- Tynnfilmbatteri: I produksjonsprosessen med tynnfilmbatteri kan silisiumkarbidpulver med høy renhet brukes som et mål for sputtering avsetning av silisiumkarbidfilm.