Porøs grafitt

SiC-substratprodusenter bruker vanligvis en digeldesign med en porøs grafittsylinder for varmefeltprosessen. Denne utformingen øker fordampningsområdet og ladningsvolumet. En ny prosess er utviklet for å adressere krystalldefekter, stabilisere masseoverføring og forbedre SiC-krystallkvaliteten. Den har en frøfri fikseringsmetode for krystallbrett for termisk ekspansjon og stressavlastning. Imidlertid utgjør begrenset markedstilførsel av digelgrafitt og porøs grafitt utfordringer for kvaliteten og utbyttet av SiC-enkeltkrystaller.

Nøkkelfunksjoner til VeTek Semiconductor Porous Graphite:

1. Høy temperatur miljøtoleranse - Produktet tåler miljøet på 2500 grader Celsius, og viser utmerket varmebestandighet.

2.Streng porøsitetskontroll - VeTek Semiconductor opprettholder tett porøsitetskontroll, og sikrer jevn ytelse.

3.Ultrahøy renhet - Det porøse grafittmaterialet som brukes oppnår et høyt renhetsnivå gjennom strenge renseprosesser.

4.Utmerket overflatepartikkelbindingsevne - VeTek Semiconductor har utmerket overflatepartikkelbindingsevne og motstand mot pulvervedheft.

5. Gasstransport, diffusjon og ensartethet - Den porøse strukturen til grafitt forenkler effektiv gasstransport og diffusjon, noe som resulterer i forbedret ensartethet av gasser og partikler.

6.Kvalitetskontroll og stabilitet - VeTek Semiconductor legger vekt på høy renhet, lavt innhold av urenheter og kjemisk stabilitet for å sikre kvalitet i krystallvekst.

7. Temperaturkontroll og ensartethet - Den termiske ledningsevnen til porøs grafitt muliggjør jevn temperaturfordeling, reduserer stress og defekter under vekst.

8.Forbedret diffusjon og veksthastighet - Den porøse strukturen fremmer jevn fordeling av oppløste stoffer, og øker veksthastigheten og jevnheten til krystaller.