Porøs grafitt

SIC -underlagsprodusenter bruker ofte en digeldesign med en porøs grafittsylinder for det varme feltprosessen. Denne utformingen øker fordampningsområdet og ladevolumet. Det er utviklet en ny prosess for å adressere krystalldefekter, stabilisere masseoverføring og forbedre SIC -krystallkvaliteten. Den inneholder en frøfri krystallbrettfikseringsmetode for termisk ekspansjon og stressavlastning. Begrenset markedsforsyning av Crucible Graphite og Porous Graphite gir imidlertid utfordringer for kvaliteten og utbyttet av SIC -enkeltkrystaller.

Viktige funksjoner i Vetek Semiconductor Porous Graphite:

1. Høy temperaturmiljøtoleranse - Produktet tåler miljøet på 2500 grader, og viser utmerket varmebestandighet.

2. Strengt porøsitetskontroll - Vetek Semiconductor opprettholder tett porøsitetskontroll, og sikrer jevn ytelse.

3.ULTRA -høy renhet - Det porøse grafittmaterialet som brukes oppnår et høyt renhetsnivå gjennom strenge rensingsprosesser.

4. Ekscellent overflatepartikkelbindingsevne - Vetek halvleder har utmerket overflatepartikkelbindingsevne og motstand mot pulveradhesjon.

5. GAS -transport, diffusjon og ensartethet - den porøse strukturen til grafitt letter effektiv gasstransport og diffusjon, noe som resulterer i forbedret ensartethet av gasser og partikler.

6. Kvalitetskontroll og stabilitet - Vetek Semiconductor legger vekt på høy renhet, lavt urenhetsinnhold og kjemisk stabilitet for å sikre kvalitet i krystallvekst.

7. Temperaturkontroll og enhetlighet - Den termiske ledningsevnen til porøs grafitt muliggjør ensartet temperaturfordeling, og reduserer stress og defekter under vekst.

8. Forbedret oppløsningsdiffusjon og veksthastighet - Den porøse strukturen fremmer til og med løstfordeling, og forbedrer veksthastigheten og ensartetheten av krystaller.