Produkter
Porøs tantalkarbid (TaC) belagt grafittring
  • Porøs tantalkarbid (TaC) belagt grafittringPorøs tantalkarbid (TaC) belagt grafittring

Porøs tantalkarbid (TaC) belagt grafittring

VETEK porøs TaC-belagt grafittring er en termisk feltkomponent konstruert for SiC enkeltkrystallvekst via PVT-prosessen (Physical Vapor Transport). Den er produsert av porøs grafitt med høy renhet og belagt med tantalkarbid (TaC) ved bruk av CVD-teknologi. Designet retter seg mot høytemperaturstabilitet, kjemisk motstandskraft og kontrollert termisk feltytelse. Ved å minimere forurensning og støtte prosesskonsistens, bidrar denne komponenten til reproduserbare SiC-krystallvekstresultater.

Produktfunksjoner

  • Kjerneutstyr:Beregnet for SiC enkeltkrystallvekstovner som opererer med PVT-teknologi.
  • Primærapplikasjon:Egnet for termiske feltsystemer i tredjegenerasjons halvleder SiC-krystallvekst.
  • Høy temperatur stabilitet:TaC-belegget beholder strukturell integritet under ultrahøye temperaturer, og støtter utvidet drift i krevende termiske miljøer.
  • Korrosjonsbeskyttelse:Det tette CVD TaC-laget beskytter grafittsubstratet fra silisiumdamp, karbonholdige gasser og andre etsende arter som påtreffes under SiC-vekst.
  • Termisk feltytelse:Den porøse grafittbasen hjelper til med varmefordeling og damptransport, noe som bidrar til å opprettholde stabile vekstforhold.
  • Lav forurensning:Utgangsmaterialer med høy renhet og det tette belegget begrenser frigjøring av urenheter og partikkelavgivelse, noe som gagner krystallkvaliteten.
  • Forlenget levetid:TaC-laget forbedrer oksidasjonsmotstand, overflatehardhet og generell holdbarhet ved høye temperaturer.
  • Beleggvedheft:CVD-prosessen gir en sterk binding mellom TaC-filmen og grafittsubstratet.
  • Egendefinerte alternativer:Dimensjoner, strukturelle detaljer og beleggsspesifikasjoner kan justeres for å matche ulike SiC-vekstovnskrav.


Tekniske spesifikasjoner

Parameter
Verdi
Grunnmateriale
Porøs grafitt med høy renhet
Beleggmateriale
Tantalkarbid (TaC)
Temperaturmotstandsområde
Opp til 2200°C
Beleggtykkelse
20–100 μm (tilpassbar)
Tetthet
2,6–2,8 g/cm³
Termisk ledningsevne
110 W/m·K
Hovedapplikasjoner
SiC-krystallvekst, termiske halvlederkomponenter, høytemperaturutstyr


Søknader

VETEK porøs TaC-belagt grafittring brukes primært i:

  • SiC enkeltkrystallvekst via PVT
  • Tredje generasjons halvlederproduksjon
  • SiC-substratproduksjon
  • Termiske feltsystemer i krystallvekstovner
  • Høytemperatur halvlederbehandling
  • Avanserte grafitt-hot-zone-komponenter


FAQ

1. Hva er en porøs TaC-belagt grafittring?

Det er en termisk feltkomponent for SiC-krystallvekstovner. Den kombinerer en porøs grafittstruktur med et CVD TaC-belegg for å gi termisk styring og beskyttelse mot høytemperaturkorrosjon.

2. Hvorfor bruke TaC-belegg for SiC-krystallvekst?

TaC gir stabilitet ved høye temperaturer og kjemisk motstand. Den beskytter grafitt fra silisiumdampangrep og bidrar til å opprettholde et rent, stabilt vekstmiljø.

3. Hva tilbyr den porøse grafittstrukturen?

Den porøse designen støtter termisk distribusjon og gasstransport i ovnen, noe som bidrar til stabile SiC-krystallvekstforhold.

4. Kan VETEK produsere tilpassede TaC-belagte grafittringer?

Ja. VETEK tilbyr tilpasning basert på kundetegninger, ovnsdesign og prosessbehov, inkludert dimensjoner, substratkonfigurasjon og beleggparametere.


Hot Tags: Porøs TaC-belagt grafittring CVD TaC-belagt grafittring Tantalkarbidbelegg TaC-belagt grafittkomponent SiC Crystal Growth Component PVT SiC Growth Parts Halvleder termisk feltkomponent Høytemperatur TaC-belegg SiC substratvekstutstyr VETEK Semiconductor
Send forespørsel
Kontaktinfo
For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
X
Vi bruker informasjonskapsler for å gi deg en bedre nettleseropplevelse, analysere nettstedstrafikk og tilpasse innhold. Ved å bruke denne siden godtar du vår bruk av informasjonskapsler.Personvernerklæring