SiC belagt tønnemottar

VeTek Semiconductorer en ledende produsent, leverandør og eksportør av SiC-belegg og TaC-belegg i Kina. Holder seg til jakten på perfekt kvalitet på produktene, slik at vår SiC Coated Barrel Susceptor har blitt fornøyd av mange kunder. Ekstrem design, råvarer av høy kvalitet, høy ytelse og konkurransedyktig pris er det enhver kunde ønsker, og det er også det vi kan tilby deg. Selvfølgelig er også viktig vår perfekte ettersalgstjeneste. Hvis du er interessert i våre SIC -belagte tønne -sensertortjenester, kan du konsultere oss nå, vi vil svare deg i tide!

Vetek Semiconductor SiC -belagt tønne -sensekter brukes hovedsakelig til LPE Si Epi -reaktorer

LPE (væskefase epitaxy) silisium epitaxy er en ofte brukt halvleder epitaksial vekstteknikk for å avsette tynne lag med enkeltkrystall silisium på silisiumsubstrater. Det er en væskefase-vekstmetode basert på kjemiske reaksjoner i en løsning for å oppnå krystallvekst.

Grunnprinsippet for LPE silisiumepitaksi innebærer å senke substratet ned i en løsning som inneholder det ønskede materialet, kontrollere temperatur og løsningssammensetning, slik at materialet i løsningen kan vokse som et enkeltkrystall silisiumlag på underlagsoverflaten. Ved å justere vekstforholdene og oppløsningssammensetningen under epitaksial vekst, kan ønsket krystallkvalitet, tykkelse og dopingkonsentrasjon oppnås.

LPE silisiumepitaksi tilbyr flere egenskaper og fordeler. For det første kan det utføres ved relativt lave temperaturer, noe som reduserer termisk stress og urenhetsdiffusjon i materialet. For det andre gir LPE silisiumepitaksi høy ensartethet og utmerket krystallkvalitet, egnet for produksjon av høyytelses halvlederenheter. I tillegg muliggjør LPE-teknologi vekst av komplekse strukturer, som flerlags- og heterostrukturer.

I LPE -silisiumpitaksi er SIC -belagte tønne -masceptoren en avgjørende epitaksial komponent. Det brukes vanligvis til å holde og støtte silisiumsubstratene som kreves for epitaksial vekst, samtidig som den gir temperatur og atmosfærekontroll. SIC-belegget forbedrer holdbarheten og kjemisk stabilitet i høy temperatur og oppfyller kravene i den epitaksiale vekstprosessen. Ved å bruke SIC-belagte tønne -masceptor, kan effektiviteten og konsistensen av epitaksialvekst forbedres, noe som sikrer veksten av epitaksiale lag av høy kvalitet.

Grunnleggende fysiske egenskaper ved CVD SIC -belegg

CVD SIC FILM KRYSTALL STRUKTUR

VeTek SemiconductorSiC Coated Barrel Susceptor produksjonsbutikker