CVD SiC Coated Graphite Susceptor for Wafer Carrier

1. Produktfordeler

• Materiale med høy renhet:Grafittmaterialet av halvlederkvalitet og den tette SiC-beleggstrukturen minimerer forurensningsrisikoen og forbedrer påliteligheten til den CVD SiC-belagte grafittsusceptoren.
• Utmerket termisk enhetlighet:Optimalisert grafittstruktur og SiC-belegg gir stabil varmeoverføring og jevn temperaturkontroll for wafer.
• Overlegen kjemisk motstand:Det tette SiC-belegget gir sterk motstand mot prosessgasser og korrosive miljøer.
• Lang levetid:Høy hardhet og slitestyrke forbedrer holdbarheten under epitaksiske forhold ved høye temperaturer.
• Lav partikkelgenerering:Den tette CVD SiC-overflaten reduserer partikkelfrigjøring og forbedrer waferprosessens pålitelighet.
• Egenskaper for tilpasset design:Tilgjengelig i forskjellige størrelser, strukturer og konfigurasjoner i henhold til utstyrskrav.

2. Tekniske spesifikasjoner

3. Søknader

• SiC-epitaksiprosess:Grafittsusceptoren brukes som en waferbærer i SiC-epitaksiutstyr, og støtter SiC-substrater under epitaksialvekst ved høy temperatur.
• Silisiumepitaksiprosess:Brukes i epitaksiale silisiumreaktorer for å støtte wafere og opprettholde stabile termiske forhold.
• MOCVD epitaksi:VETEK grafittsusceptorer er egnet for MOCVD, LED-epitaksi, GaN-epitaksi, silisiumepitaksi og andre produksjonsprosesser for halvledere som krever utmerket termisk jevnhet og kjemisk stabilitet.
• Halvlederproduksjonsutstyr:Kompatibel med ulike epitaksiplattformer, inkludert LPE horisontale ovner, Aixtron, NuFlare og relatert halvlederutstyr.

4. Hvorfor velge VETEK?

VETEK leverer tilpassede CVD SiC-belagt grafittsusceptorløsninger som integrerer grafittrensing, presisjonsmaskinering, CVD-belegg og inspeksjonsevner. Våre grafittsusceptorprodukter av halvlederkvalitet har høy renhet, jevn beleggtykkelse, utmerket termisk ytelse og lang levetid for krevende wafer-bærerapplikasjoner.