Silisiumkarbidbelegg

CVD SIC-belagte grafittdusjhode fra Veteksemicon er en høyytelseskomponent som er spesielt designet for halvlederkjemiske dampavsetning (CVD) prosesser. Produsert av grafitt med høy renhet og beskyttet med et kjemisk dampavsetning (CVD) silisiumkarbid (SIC) belegg, leverer dette dusjhodet enestående holdbarhet, termisk stabilitet og motstand mot etsende prosessgasser. Ser frem til din videre konsultasjon.

Silisiumkarbidbeleggingshaveren av Veteksemicon er konstruert for presisjon og ytelse i avanserte halvlederprosesser som MOCVD, LPCVD og annealing av høy temperatur. Med et enhetlig CVD SIC-belegg, sikrer denne wafer-holderen eksepsjonell termisk ledningsevne, kjemisk inertness og mekanisk styrke-essensiell for forurensningsfri, høy avkastning av wafer-prosessering.

Veteksemicon SiC-ringer med høy renhet, spesialdesignet for halvlederets etsningsutstyr, har enestående korrosjonsmotstand og termisk stabilitet, betydelig forbedring av skiveutbytte

Som en ledende kinesisk produsent og leverandør av silisiumkarbidbeleggingsprodukter, spiller Veteksemicons SIC -belagte skivebærer for etsing en uerstattelig kjernerolle i etsningsprosessen med sin utmerkede høytemperaturstabilitet, enestående korrosjonsmotstand og høy termisk ledningsevne.

Veteksemicons CVD SIC-belagte wafer-sensekter er en banebrytende løsning for halvleder epitaksiale prosesser, og tilbyr ultrahøy renhet (≤100 ppb, ICP-E10-sertifisert) og eksepsjonell termisk/kjemisk stabilitet for forurensningsresistent vekst av GAN, SIC og siliconbasert EPI---l-l-l-l-l-l-l-l-l-l-l-lansere. Konstruert med Precision CVD -teknologi støtter den 6 ”/8”/12 ”skiver, sikrer minimal termisk spenning og tåler ekstreme temperaturer opp til 1600 ° C.

Vår SIC -belagte planetariske sensekter er en kjernekomponent i den høye temperaturprosessen for halvlederproduksjon. Designet kombinerer grafittunderlag med silisiumkarbidbelegg for å oppnå omfattende optimalisering av termisk styringsytelse, kjemisk stabilitet og mekanisk styrke.