Sic Edge Ring

I feltet med halvlederproduksjon revolusjonerer Sic kantringer, som kjernekomponenter av skiveforedlingsutstyr, det industrielle landskapet med sine materielle egenskaper. Verdien av denne presisjonskomponenten laget av silisiumkarbidkrystaller ligger ikke bare i det høyteknologiske innholdet, men også i den betydelige forbedringen i utbytte og optimalisering av driftskostnadene som den kan gi til chip-produsenter.

Sic Edge Ring strukturelle egenskaper

Silisiumkarbidkantringer er viktige forbrukskomponenter i halvlederets etsningsutstyr og er laget av silisiumkarbidmaterialer med høy renhet fremstilt ved metoden for kjemisk dampavsetning (CVD). Diameteren på den ringformede strukturen er vanligvis 200-450 mm, og tykkelsen styres innen 5-15 mm, med følgende egenskaper:

1. Ekstremtoleranse: tåler et miljø med høy temperatur på 1500 ℃

2. Plasmabilitet: Dielektrisk konstant 9,7, nedbrytningsspenning 3MV/cm

3. Geometrisk nøyaktighet: Rundhetsfeil ≤0,05mm, overflateuhet RA <0,2μm

Gjennombrudd i produksjonsprosessen

Den moderne forberedelsesprosessen vedtar en tretrinnsmetode:

1. Matriseforming: Isostatisk pressing forming sikrer ensartet tetthet

2.

3. Overflatemodifisering: Nanoskala beskyttelseslag dannes gjennom reaktiv ioneting (RIE). Den siste forskningen viser at levetiden til silisiumkarbidkantringer dopet med 3% bor økes med 40%, og skiveforurensningsfrekvensen reduseres til 0,01 ppm -nivå

Applikasjonsscenarier

Det viser uerstattbarhet i prosesser under 5nm:

2. Etsningsuniformitet: Det kan opprettholde et etsningshastighetsavvik på ± 1,5% ved skivekanten

3. Forurensningskontroll: Det reduserer metallforurensning med 92% sammenlignet med tradisjonelle kvartsmaterialer

4. Vedlikeholdssyklus: Den kan fungere kontinuerlig i 1500 timer i CF4/O2 -plasma

Veteksemicon har oppnådd et gjennombrudd i den innenlandske produksjonen av SIC -kantringer, noe som kan spare mange kostnadsutgifter. Velkommen til å kontakte oss når som helst!