Hva er temperaturgradienten til det termiske feltet til en enkelt krystallovn?

Hva erTermisk felt?

Temperaturfeltet tilenkeltkrystallvekstrefererer til den romlige fordelingen av temperaturen i en enkelt krystallovn, også kjent som det termiske feltet. Under kalsinering er temperaturfordelingen i det termiske systemet relativt stabilt, som kalles et statisk termisk felt. Under veksten av en enkelt krystall vil det termiske feltet endre seg, som kalles et dynamisk termisk felt.

Når en enkelt krystall vokser, på grunn av kontinuerlig transformasjon av fasen (flytende fase til fast fase), frigjøres den faste fase latente varmen kontinuerlig. Samtidig blir krystallen lengre og lengre, smeltenivået synker stadig, og varmetedning og stråling endres. Derfor endres det termiske feltet, som kalles et dynamisk termisk felt.

Hva er solid-væske-grensesnittet?

På et bestemt øyeblikk har ethvert punkt i ovnen en viss temperatur. Hvis vi kobler punktene i rommet med samme temperatur i temperaturfeltet, vil vi få en romlig overflate. På denne romlige overflaten er temperaturen lik overalt, som vi kaller en isotermisk overflate. Blant de isotermiske overflatene i enkeltkrystallovnen, er det en veldig spesiell isotermisk overflate, som er grensesnittet mellom fastfasen og væskefasen, så det kalles også fast-væske-grensesnittet. Krystallen vokser fra det faste væske-grensesnittet.

Hva er temperaturgradient?

Temperaturgradienten refererer til endringshastigheten for temperaturen til et punkt A i det termiske feltet til temperaturen på et nærliggende punkt B. Det vil si at temperaturendringen i en enhetsavstand.

NårenkeltkrystallsilisiumVokser, det er to former for fast stoff og smelter i det termiske feltet, og det er også to typer temperaturgradienter:

▪ Den langsgående temperaturgradienten og radial temperaturgradienten i krystallen.

▪ Langsgående temperaturgradient og radial temperaturgradient i smelten.

▪ Dette er to helt forskjellige temperaturfordelinger, men temperaturgradienten ved fast-væske-grensesnittet som mest kan påvirke krystalliseringstilstanden. Den radielle temperaturgradienten til krystallen bestemmes av den langsgående og tverrgående varmeledning av krystallen, overflatestrålingen og den nye posisjonen i det termiske feltet. Generelt sett er sentertemperaturen høy og kantemperaturen på krystallen er lav. Den radielle temperaturgradienten til smelten bestemmes hovedsakelig av varmeovnene rundt den, så midtstemperaturen er lav, temperaturen nær digelen er høy, og den radielle temperaturgradienten er alltid positiv.

En rimelig temperaturfordeling av det termiske feltet må oppfylle følgende forhold:

▪ Den langsgående temperaturgradienten i krystallen er stor nok, men ikke for stor, for å sikre at det er nok varmedissipasjonskapasitet underkrystallvekstfor å fjerne den latente krystalliseringsvarmen.

▪ Den langsgående temperaturgradienten i smelten er relativt stor, noe som sikrer at ingen nye krystallkjerner genereres i smelten. Imidlertid, hvis det er for stort, er det lett å forårsake dislokasjoner og brudd.

▪ Den langsgående temperaturgradienten ved krystalliseringsgrensesnittet er passende stort, og danner dermed nødvendig underkjøling, slik at enkeltkrystallen har tilstrekkelig vekstmomentum. Det skal ikke være for store, ellers vil strukturelle defekter oppstå, og radialtemperaturgradienten skal være så liten som mulig for å gjøre krystallisering grensesnittet flatt.

Vetek Semiconductor er en profesjonell kinesisk produsent avSic krystallvekst porøs grafitt, Monokrystallinsk trekker digel, Trekk silisiumkrystalljigg, Crucible for monokrystallinsk silisium, Tantal karbidbelagt rør for krystallvekst.  Vetek Semiconductor er opptatt av å tilby avanserte løsninger for forskjellige SIC -wafer -produkter for halvlederindustrien.

Hvis du er interessert i ovennevnte produkter, kan du gjerne kontakte oss direkte.  

Mob: +86-180 6922 0752

WhatsApp: +86 180 6922 0752

E -post: anny@veteksemi.com