QR kode
Produkter
Kontakt oss


Faks
+86-579-87223657

E-post

Adresse
Wangda Road, Ziyang Street, Wuyi County, Jinhua City, Zhejiang-provinsen, Kina
Porøs grafitter et konstruert karbonmateriale som inneholder et nettverk av porer i grafittstrukturen. Dens nøkkelegenskaper inkluderer porøsitet, porestørrelsesfordeling, permeabilitet, bulktetthet og termiske egenskaper. I halvlederproduksjon brukes utvalgte porøse grafittkomponenter med høy renhet i silisiumkarbid (SiC) Physical Vapor Transport (PVT) krystallvekstsystemer for å støtte spesifikke gasstransport- og termiske feltfunksjoner. Materialets ytelse avhenger av grafittkvalitet, porestruktur, renhet og driftsforhold.
Den porøse strukturen til grafitt
Porøs grafitt er et porøst strukturprodukt laget av grafitt som basismateriale. Materialet er laget av grafitt med høy renhet. De fysiske parametrene til VeTek Semiconductor Porous Graphite varierer i henhold til produksjonsprosessen og spesifikk applikasjon. Følgende er vanlige fysiske parametere:
Typiske fysiske egenskaper vedporøs grafitt
ltem
Parameter
Bulk tetthet
0,89 g/cm3
Trykkstyrke
8,27 MPa
Bøyestyrke
8,27 MPa
Strekkstyrke
1,72 MPa
Spesifikk motstand
130Ω-inX10-5
Porøsitet
50 %
Gjennomsnittlig porestørrelse
70um
Termisk ledningsevne
12W/M*K
Porøs grafitt er laget av grafitt med høy renhet og har utmerket elektrisk ledningsevne, termisk ledningsevne, høy temperaturbestandighet, oksidasjonsmotstand, kjemisk stabilitet og andre egenskaper. Det er mye brukt i halvlederprosesseringsindustrien.
I halvlederprosesseringsprosessen er porøs grafitt mye brukt i følgende aspekter:
Kombinert med porøs grafitts utmerkede høytemperaturbestandighet og kjemiske stabilitet som god korrosjonsbestandighet mot de fleste kjemikalier som syrer, alkalier og løsemidler, brukes porøs grafitt ofte i høytemperatursintrings- og varmebehandlingsutstyr. For eksempel kan porøs grafitt brukes som fôr, isolasjonsmateriale eller støttemateriale for høytemperaturovner.
Dessuten,
SiC krystallvekst porøs grafittkomponenthar utmerket elektrisk ledningsevne og termisk stabilitet for å gi et jevnt termisk felt og stabile elektriske egenskaper. Derfor brukes dette produktet ofte i diffusjons- eller oksidasjonsprosessen ved halvlederbehandling som en diffusjonskilde eller elektrodemateriale.
Porøs grafitts porøse struktur kan filtrere og rense gasser som brukes i halvlederbehandling, redusere mulig partikkelforurensning og sikre høy renhet under behandlingen. Med sin porøse struktur og gode luftgjennomtrengelighet kan porøse grafittdeler også brukes som base og fikstur i et vakuumadsorpsjonssystem for å fikse wafere eller andre komponenter gjennom effektiv vakuumadsorpsjon.
Ved å justere sintringsprosessen av grafitt kan VeTek Semiconductortilpasse porøse grafittmaterialer med forskjellige porestørrelser og porøsiteter for å møte ulike applikasjonskrav.
Porøs grafitt SiC krystallvekst porøs grafitt Tre-blads grafittdigel
Faktisk har VeTek Semiconductor en absolutt markedsledende posisjon i Kinas marked for sic-belagt grafitt-susceptor, tac-belagt grafitt-digelmarked og silisiumkarbidbelagt grafittbrett. VeTek Semiconductor er en profesjonell kinesisk produsent, leverandør, fabrikk for spesielle grafittprodukter, som f.eks.SiC krystallvekst porøs grafitt, Pyrolytisk karbonbelegg, Glassaktig karbonbelegg, Isotropisk grafitt, Silikonisert grafittogHøyrent grafittark. vi er forpliktet til å tilby avanserte løsninger for ulike spesialgrafittprodukter for halvlederindustrien.
Hvis du har spørsmål eller trenger ytterligere detaljer, ikke nøl med å ta kontakt med oss.
Mob/WhatsAPP: +86-180 6922 0752
E-post: anny@veteksemi.com
+86-579-87223657
Wangda Road, Ziyang Street, Wuyi County, Jinhua City, Zhejiang-provinsen, Kina
Copyright © 2024 WuYi TianYao New Material Tech.Co.,Ltd. Alle rettigheter reservert.
Links | Sitemap | RSS | XML | Personvernerklæring |