Tre-petal grafitt digel

Vetek Semiconductors tre-petale grafittgrovdyr designet for vekstprosessen med monokrystallinsk silisium Av CZ-metoden, er den tre-petale strukturen grafittgruppe laget av isostatisk grafittmateriale med høy renhet. Gjennom den innovative tre-petale strukturen kan den tradisjonelle integrerte digelen effektivt løse demonteringsvansker, termisk stresskonsentrasjon og andre bransjesmerter, og er mye brukt i fotovoltaiske silisiumskiver, halvlederskiver og andre high-end produksjonsfelt.

Kjerneprosesshøydepunkter

1.

Materiell renhet: Bruken av isostatisk presset grafittunderlag med askeinnhold <5 ppm om nødvendig og generelt ＜ 10 ppm for å sikre null forurensning i silisiumsmelteprosessen

Strukturell styrking: Etter å ha blitt grafitisert til 2200 ℃, er bøyestyrken ≥45MPa, og koeffisienten for termisk ekspansjon er ≤4,6 × 10⁻⁶/℃

Overflatebehandling: 10-15μM pyrolytisk karbonbelegg blir avsatt ved CVD-prosess for å forbedre oksidasjonsmotstanden (vekttap <1,5%/100h@1600℃).

2. Innovativ tre-petal struktur design

Modulær montering: 120 ° Equipartition tre-lobe struktur, installasjon og demonteringseffektivitet økte med 300%

Design av stressfrigjøring: Den delte strukturen sprer den termiske ekspansjonsspenningen effektivt og forlenger levetiden til mer enn 200 sykluser

Presisjonspass: gapet mellom ventilene er <0,1 mm, og keramisk lim med høy temperatur sikrer null lekkasje i silisiumsmelteprosessen

3. Tilpassede prosesseringstjenester

Støtte φ16 "-φ40" Tilpasning i full størrelse, veggtykkelsestoleransekontroll ± 0,5 mm

Gradienttetthetsstrukturen 1,83 g/cm³ kan velges for å optimalisere den termiske feltfordelingen

Gi verdiøkende prosesser som bornitridkomposittbelegg og Rhenium Metal Edge Styrking

Typisk applikasjonsscenario

Fotovoltaisk industri

Monokrystallinsk silisiumstang Kontinuerlig tegning: Egnet for G12 Silisiumskivproduksjon i stor størrelse, støtte ≥500 kg lastekapasitet

N-type TopCon-batteri: Ultra-lav urenhet Migrasjon garanterer minoritetsliv> 2ms

Termisk feltoppgradering: Kompatibel med mainstream enkeltkrystallovnmodeller (PVI, Ferrotec, etc.)

Halvlederproduksjon

8-12 tommer

Spesielle dopede krystaller: Presis kontroll av bor/fosforfordelingens enhetlighet

Tredje generasjons halvleder: Kompatibel SIC enkeltkrystallforberedelsesprosess

Vitenskapelig forskningsfelt

Forskning og utvikling av ultratynne silisiumskiver for romsolceller

Veksttest av nye krystallmaterialer (Germanium, Gallium Arsenide)

Begrens parameterforskning (3000 ℃ Ultra-High Temperature Melting Experiment)

Kvalitetssikringssystem

ISO 9001/14001 Dual System Certification

Gi materialtestrapport for kunder (XRD -komposisjonsanalyse, SEM -mikrostruktur)

Hele prosess sporbarhetssystem (lasermerking + blockchain lagring)