Vetek Semiconductor er en ledende produsent og leverandør av SIC -beleggprodukter i Kina. Vetek Semiconductors silisiumkarbidbelagte EPI -sensekter har bransjens topp kvalitetsnivå, er egnet for flere stiler med epitaksiale vekstovner, og tilbyr svært tilpassede produkttjenester. Vetek Semiconductor ser frem til å bli din langsiktige partner i Kina.
Halvlederepitaksi refererer til veksten av en tynn film med en spesifikk gitterstruktur på overflaten av et substratmateriale ved metoder som gassfase, væskefase eller molekylær stråleavsetning, slik at det nyvoksede tynnfilmlaget (epitaksiallaget) har samme eller lignende gitterstruktur og orientering som underlaget.
Epitaksi-teknologi er avgjørende i halvlederproduksjon, spesielt ved fremstilling av tynne filmer av høy kvalitet, som enkeltkrystalllag, heterostrukturer og kvantestrukturer som brukes til å produsere høyytelsesenheter.
Den silisiumkarbidbelagte Epi-susceptoren er en nøkkelkomponent som brukes til å støtte substratet i epitaksialt vekstutstyr og er mye brukt i silisiumepitaksi. Kvaliteten og ytelsen til den epitaksiale pidestallen påvirker direkte vekstkvaliteten til det epitaksiale laget og spiller en viktig rolle i den endelige ytelsen til halvlederenheter.
VeTek Semiconductorbelagt et lag med SIC-belegg på overflaten av SGL-grafitt ved CVD-metoden, og oppnådde SiC-belagt epi-susceptor med egenskaper som høytemperaturmotstand, oksidasjonsmotstand, korrosjonsmotstand og termisk jevnhet.
I en typisk tønnereaktor har silisiumkarbidbelagt Epi -sensekter en tønnestruktur. Bunnen av den SIC -belagte Epi -masceptoren er koblet til den roterende akselen. Under den epitaksiale vekstprosessen opprettholder den vekslende klokken med klokken og mot klokken. Reaksjonsgassen kommer inn i reaksjonskammeret gjennom dysen, slik at gasstrømmen danner en ganske jevn fordeling i reaksjonskammeret, og til slutt danner en jevn epitaksial lagvekst.
Forholdet mellom masseendringen av SIC -belagt grafitt og oksidasjonstid
Resultatene fra publiserte studier viser at ved 1400 ℃ og 1600 ℃ øker massen av SiC-belagt grafitt svært lite. Det vil si at SiC-belagt grafitt har en sterk antioksidantkapasitet. Derfor kan SiC-belagt Epi-susceptor fungere lenge i de fleste epitaksiale ovner. Hvis du har flere krav eller tilpassede behov, vennligst kontakt oss. Vi er forpliktet til å tilby SiC-belagte Epi-susceptorløsninger av beste kvalitet.
Grunnleggende fysiske egenskaper ved CVD SIC -belegg
Grunnleggende fysiske egenskaper ved CVD SIC -belegg
Eiendom
Typisk verdi
Krystallstruktur
FCC β-fase polykrystallinsk, hovedsakelig (111) orientert
For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
Vi bruker informasjonskapsler for å gi deg en bedre nettleseropplevelse, analysere nettstedstrafikk og tilpasse innhold. Ved å bruke denne siden godtar du vår bruk av informasjonskapsler. Personvernerklæring