Graphite Disc-mottaker

Vetek Semiconductors grafittskivsceptor, et høyytelsesprodukt for avanserte halvlederproduksjonsprosesser. Vår grafittskivsceptor er designet for å oppfylle de krevende kravene i industrien og gi eksepsjonell ytelse og pålitelighet. Denne grafittskivsceptoren er OEM for AIX G5 Planetary Reactor Platform.

Gan-on-Si MOCVD brukes til LED-epitaksial produksjon, og Aixstron G5-reaktoren forbedrer utbyttet og ensartetheten til MOCVD-plattformen. Et fullt rotert symmetrisk ensartet mønster på fem 200 mm skiver, ved bruk av et standard tykkelse silisiumsubstrat og kontrollerende atferdsatferd formaliserte det de trengte for silisiumfremstilling.

Vetek Semiconductor's High-Purity Graphite Disc Susceptor for GaN-on-Si MOCVD, en pålitelig og kostnadseffektiv løsning for avanserte halvlederproduksjonsprosesser.

Vår høyrente grafittdisksusceptor er spesielt designet for å møte kravene til GaN-on-Si MOCVD-prosesser. Med sin eksepsjonelle termiske stabilitet og varmebestandighet, tåler den krevende temperaturforhold som typisk varierer fra 800 °C til 1100 °C, noe som sikrer optimal ytelse under avsetningsprosessen.

Det høyrente grafittmaterialet som brukes i vår platesusceptor gir utmerket kjemisk motstand, noe som gjør det kompatibelt med ammoniakk (NH3) og organiske metallforløpere som vanligvis brukes i GaN-on-Si MOCVD. Dette eliminerer behovet for ytterligereSiC-belegg, redusere produksjonskostnadene uten at det går ut over ytelsen.

Vetek Semiconductors høyrente grafittskivemottaker tilbyr en kostnadseffektiv løsning uten å gå på kompromiss med kvaliteten. Dens pålitelighet, holdbarhet og kompatibilitet med GaN-on-Si MOCVD-prosesser gjør den til det foretrukne valget for halvlederprodusenter. Stol på Vetek Semiconductor for å levere høyytelses grafittdisksusceptorer for dine GaN-on-Si MOCVD-produksjonsbehov.