Produkter

Vetek Semiconductors CVD SIC -belagte tak har utmerkede egenskaper som høy temperaturmotstand, korrosjonsmotstand, høy hardhet og lav termisk ekspansjonskoeffisient, noe som gjør det til et ideelt materialvalg i halvlederproduksjon. Som en Kina som leder CVD SIC -belagt takprodusent og leverandør, ser Vetek Semiconductor frem til konsultasjonen din.

Vetek Semiconductor er en profesjonell produsent av MOCVD LED EPI -sensekter i Kina. Vår MOCVD LED EPI -masceptor er designet for krevende applikasjoner for epitaksialt utstyr. Den høye termiske ledningsevnen, kjemisk stabilitet og holdbarhet er viktige faktorer for å sikre en stabil epitaksial vekstprosess og halvlederfilmproduksjon.

SIC -belegget ALD -sensekteren er en støttekomponent som er spesielt brukt i atomlagsavsetning (ALD) -prosessen. Det spiller en nøkkelrolle i ALD -utstyret, og sikrer ensartetheten og presisjonen i deponeringsprosessen. Vi tror at våre ALD Planetary Symesceptor-produkter kan gi deg produktløsninger av høy kvalitet.

Vetek Semiconductors TAC -beleggrør er en nøkkelkomponent for vellykket vekst av silisiumkarbidkrystaller. Med sin høye temperaturmotstand, kjemisk inertness og utmerket ytelse, som sikrer produksjon av krystaller av høy kvalitet med konsistente resultater. Stol på våre innovative løsninger for å forbedre din PVT -metode sic krystallvekstprosess og oppnå utmerkede resultater. Velkommen til å undersøke oss.

Vetek Semiconductor tilbyr porøs Sic keramisk chuck som er mye brukt i wafer -prosesseringsteknologi, overføring og andre lenker, egnet for liming, skribent, lapp, polering og andre lenker, laserbehandling. Vår porøse SiC keramiske chuck har ultra-sterkt vakuumadsorpsjon, høy flathet og høy renhet oppfyller behovene til de fleste halvlederindustrier. Velkommen til å undersøke oss.

Den CVD SiC-belagte RTP-susceptoren fra VeTek Semiconductor betjener utstyr for rask termisk prosessering (RTP) og rask termisk utglødning (RTA) som brukes gjennom halvlederproduksjon. Substratet er maskinert av isostatisk grafitt med høy renhet, over hvilken et tett CVD-silisiumkarbid (SiC)-lag er avsatt. Denne konstruksjonen gir høy varmeledningsevne, robust kjemisk treghet og vedvarende dimensjonsstabilitet under gjentatt sykling ved høye temperaturer.