Cvd sic pannekake -mottaker

Det halvleder CVD SIC Pancake Sesceptor er produsert ved bruk av den nyeste teknologien for kjemisk dampavsetning (CVD) for å sikre utmerket holdbarhet og ekstrem temperaturtilpasningsevne. Følgende er dens viktigste fysiske egenskaper:

● Termisk stabilitet: Den høye termiske stabiliteten til CVD SIC sikrer stabil ytelse under høye temperaturforhold.

● Lav termisk ekspansjonskoeffisient: Materialet har en ekstremt lav termisk ekspansjonskoeffisient, som minimerer skjevhet og deformasjon forårsaket av temperaturendringer.

● Kjemisk korrosjonsmotstand: Utmerket kjemisk motstand gjør at den kan opprettholde høy ytelse i en rekke tøffe miljøer.

Presis støtte og optimalisert varmeoverføring

Veteksemis pannekake -mykbaserte SIC -belagte er designet for å imøtekomme halvlederskiver og gi utmerket støtte under epitaksial deponering. SIC -pannekakestensoren er designet ved hjelp av avansert beregningssimuleringsteknologi for å minimere skjevhet og deformasjon under forskjellige temperatur- og trykkforhold. Den typiske termiske ekspansjonskoeffisienten er omtrent 4,0 × 10^-6/° C, noe som betyr at dens dimensjonale stabilitet er betydelig bedre enn tradisjonelle materialer i miljøer med høy temperatur, og dermed sikrer konsistensen av skivetykkelse (typisk 200 mm til 300 mm).

I tillegg utmerker CVD -pannekakestensoren seg i varmeoverføring, med en termisk ledningsevne på opptil 120 W/m · K. Denne høye varmeledningsevnen kan raskt og effektivt utføre varme, forbedre temperaturenheten i ovnen, sikre jevn varmefordeling under epitaksialavsetning og redusere deponeringsdefekter forårsaket av ujevn varme. Optimalisert varmeoverføringsytelse er avgjørende for å forbedre deponeringskvaliteten, noe som effektivt kan redusere prosesssvingninger og forbedre utbyttet.

Gjennom disse design- og ytelsesoptimaliseringene gir Vetek Semiconductors CVD SIC -pannekake -mottaker et solid grunnlag for halvlederproduksjon, noe som sikrer pålitelighet og konsistens under tøffe behandlingsforhold og oppfyller de strenge kravene til den moderne halvlederindustrien for høy presisjon og kvalitet.

Cvd sic filmkrystallstruktur

Grunnleggende fysiske egenskaper ved CVD SIC -belegg

Grunnleggende fysiske egenskaper ved CVD SIC -belegg
Eiendom	Typisk verdi
Krystallstruktur	FCC β -fase polykrystallinsk, hovedsakelig (111) orientert
Tetthet	3.21 g/cm³
Hardhet	2500 Vickers Hardness （500g belastning）
Kornstørrelse	2 ~ 10mm
Kjemisk renhet	99.99995%
Varmekapasitet	640 J · kg-1· K.-1
Sublimeringstemperatur	2700 ℃
Bøyestyrke	415 MPa RT 4-punkt
Youngs modul	430 GPA 4pt bøy, 1300 ℃
Termisk konduktivitet	300W · m-1· K.-1
Termisk utvidelse (CTE)	4,5 × 10-6K-1