Aluminiumnitrid (AlN) wafere

1. Nøkkelfunksjoner og fordeler

• Ultrabredt båndgap ≈ 6,2 eV — høyest blant vanlige halvledermaterialer

• Høy varmeledningsevne ≈ 320 W/m·K for effektiv varmeavledning

• Utmerket elektrisk isolasjon (>10¹³ Ω·cm) og høyt sammenbruddsfelt (12–15 MV/cm)

• Godt gitter og termisk ekspansjonsmatch med GaN – ideelt for GaN-på-AlN-heterostrukturer

• Alternativer med lav dislokasjonstetthet med tett HR-XRD gyngekurvekontroll

• Al-face CMP (Ra ≤ 0,5 nm) og N-face MP for epi-klare overflater

• Flere størrelser og kvalitetskarakterer (P / R / D) for å matche produksjons- og forskningskrav

2. Typiske bruksområder

• Høyeffekts RF-enheter for radar- og 6G-kommunikasjon

• Høyspent kraftelektronikk for nett, datasentre og elektriske kjøretøy

• Dyp-ultrafiolette (UVC) lysdioder og laserdioder

• GaN-on-AlN epitaksial vekst og avanserte heterostrukturenheter

• Halvlederkomponenter med høy temperatur, høy frekvens og tøffe omgivelser

3. Tilgjengelige størrelser og kvalitetskarakterer

VeTek tilbyr AlN wafere i følgende standardformater. Egendefinerte størrelser og spesifikasjoner kan diskuteres på forespørsel.

• 10 × 10 mm kvadratiske underlag

• 1-tommers (25,4 mm) skiver

• 2-tommers (50,8 mm) skiver

Kvalitetskarakterer: P-grad (Produkt), R-grad (Forskning), D-grad (Eksperimentell), differensiert hovedsakelig av HR-XRD rocking-curve FWHM og generell krystallkvalitet.

4. Tekniske nøkkelspesifikasjoner

Vanlige parametere på tvers av størrelser (typiske verdier; karakteravhengig der nevnt):

Størrelsesspesifikke geometriske toleranser:

• 10×10 mm: Sidelengde 10 mm ± 0,5 mm; TTV ≤ 15 μm; Bue ≤ 15 μm

• 1-tommers: Diameter 25,4 mm ± 0,5 mm; Bruksareal ≥ 90 %; TTV ≤ 20 μm; Bue ≤ 20 μm; Primær flat (10-10) ± 5°, lengde 8 mm ± 1 mm

• 2-tommers: Diameter 50,8 mm ± 0,5 mm; Bruksareal ≥ 90 %; TTV ≤ 30 μm; Bue ≤ 30 μm; Primær flat lengde 16 mm ± 2 mm

5. Hvorfor velge VeTek AlN Wafers?

Som en spesialisert leverandør av avanserte halvledermaterialer og komponenter, tilbyr VeTek Semiconductor:

• Høykvalitets AlN enkeltkrystallskiver med kontrollert krystallkvalitet og epi-klare overflater

• Flere størrelses- og klassealternativer for å støtte både enhetsproduksjon og forskningsprogrammer

• Komplementære wafer- og substratløsninger under VeTek halvledermaterialeporteføljen

• Teknisk støtte for materialvalg og prosessmatching

Våre AlN-wafere hjelper kunder med å akselerere utviklingen av høyeffekts RF-, høyspentstrøm- og dyp-UV optoelektroniske enheter som krever den unike kombinasjonen av ultrabredt båndgap, høy varmeledningsevne og GaN-kompatibilitet som tilbys av aluminiumnitrid.