Aluminiumnitrid keramisk plate

Vetek halvleder aluminiumnitrid keramisk plate er et ideelt isolerende keramisk produkt med høy termisk ledningsevne, lav ekspansjonskoeffisient, høy styrke, høy temperaturresistens, kjemisk korrosjonsbestandighet, høy resistivitet og lav dielektrisk tap. Aluminiumnitrid keramikk kan erstatte giftig berylliumoksydkeramikk og er mye brukt i elektronikkindustrien.

Ytelsesfordel:

Sammenlignet med aluminiumoksyd keramikk, har aluminiumnitrid høy termisk ledningsevne, ved 100 grader Celsius, er den termiske konduktiviteten over 170W/ M.K, og den termiske konduktiviteten til aluminiumoksyd er omtrent 15-35 W/ (M · K), og aluminumnitrid er mer enn 5 ganger så mye alum-alum.

Hardheten ved aluminiumnitrid keramisk materiale er generelt 9 Mohs hardhet, noe som betyr at hardheten i aluminiumnitridkeramikk er veldig høy, bare for å være diamant, i halvlederemballasjeprosessen, vanligvis aluminiums -nitrid keramisk kopper for å forbedre godhet, termisk ledning.

Den lineære ekspansjonskoeffisienten for denne typen keramikk er vanligvis i området 4 til 5 × 10^^-6/℃, noe som gjør det mer matchet med ekspansjonskoeffisienten for metallmaterialer, og bidrar til å redusere generering av stress og THermal stress forårsaket av temperaturendringer.

Samtidig er bøyestyrken til keramikk av aluminiumnitrid vanligvis mellom 300 og 700 MPa, som er høyere enn for mange andre keramiske materialer som zirkonier og aluminiumoksyd.

Når det gjelder temperatur, kan keramikk av aluminiumnitrid fungere stabilt i et miljø med høyt temperatur, og brukstemperaturen kan nå mer enn 1500 ℃, som er egnet for høye temperaturprosesser og anvendelser.

I tillegg til dens motstand mot inerte gasser, viser aluminiumnitrid keramisk skive utmerket kjemisk stabilitet og høy motstand mot etsende medier som syrer og alkalier, noe som gjør dem mye brukt i den kjemiske industrien.

Aluminiumnitrid keramisk skive har en høy resistivitet, vanligvis mellom 10^¹⁴og 10^¹⁵Ω · cm, som er egnet for anledninger der elektriske isolasjonsegenskaper er nødvendig. Aluminiumnitrid keramikk har et veldig lite dielektrisk tap, noe som betyr at energitap kan reduseres i dielektriske anvendelser.

Applikasjonsområde:

Halvlederemballasje: For strømmoduler (for eksempel IGBT), høykraftsbrikkebærere, solid-state-reléer osv., For å gi effektiv termisk styring 3410.

Elektronisk underlag: Som et tynt film/tykk filmkretsbrett støtter høy presisjonsbearbeiding (f.eks. Polering til RA 0,3μm overflateuhet) 410.

RF/mikrobølgeovnapparater: Lavt dielektrisk tap (TanΔ ≤3 × 10⁻⁴, 1MHz) egenskaper som er egnet for høyfrekvent kretskort 1018.

Andre industrielle scenarier: for eksempel Vacuum Coating Equipment Parts, Hig

Behandlings- og tilpasningstjenester

Presisjonsmaskinering: Støttekutting, boring, sliping, polering (overflateuhet RA opp til 0,3μm) og tilpasset spesialformet struktur 410.

Overflatebehandling: Det sintrete underlaget kan behandles på nytt for å forbedre overflatens glatthet (f.eks. Fra 30 mikroinch RA til 1 mikroinch RA) 4.

Det halvlederAluminium Nitride Ceramic Disc Products Butikker: