Tantal karbidbelagt ring

Vetek Semiconductor tantal karbidbelagt ring er laget avgrafittog belagt med tantalkarbid, en kombinasjon som utnytter de beste egenskapene til begge materialene for å sikre overlegen ytelse og lang levetid. 

TAC -belegget på tantal karbidbeleggingsring sikrer at den forblir kjemisk inert i de reaktive atmosfærene til Sic krystallvekstovner, som ofte involverer gasser som hydrogen, argon og nitrogen. Denne kjemiske inertheten er viktig for å forhindre forurensning av den voksende krystallen, noe som kan føre til feil og redusert ytelse av de endelige halvlederproduktene. I tillegg tillater den termiske stabiliteten som leveres av TAC -belegget tantal -karbidbeleggingsringen effektivt ved de høye temperaturene som er nødvendige for SIC -krystallvekst, typisk over 2000 ° C.

Tett og ensartet TAC -belegg kan fremstilles på grafittoverflate ved plasmaspraying, CVD -metode og slurry sintringsmetode, men plasmasprøytemetode har høye utstyrskrav og TA2C -dannelse. Det er vanskelig å tilberede sammensatt belegg ved slurry sintringsmetode, og den termiske sjokkmotstanden ved belegg er dårlig. Belegget fremstilt ved CVD -metode har kontrollerbar sammensetning og høyeste tetthet, som er en vanlig tantal karbidbeleggingsmetode for tiden.

De mekaniske egenskapene til TAC reduserer slitasje på tantal karbidbeleggingsring. Dette er avgjørende på grunn av den repeterende naturen til krystallvekstprosessen, som utsetter veiledningsringen for hyppige termiske sykluser og mekaniske spenninger. TACs hardhet og slitasje motstand sikrer at TAC -belagte ringen opprettholder sin strukturelle integritet og presise dimensjoner over lengre perioder, og minimerer behovet for hyppige erstatninger og reduserer driftsstans i produksjonsprosessen. 

Hovedtettheten av tantal karbidbelegg er 14,3 gm/cm3, emissivitet 0,3, hardhet er 2000hk, smeltepunktet er 3950s ℃, og gode fysiske egenskaper er valgt som et vanlig materiale for tredje generasjon halvledere.

I tillegg optimaliserer kombinasjonen av grafitt og TAC i tantal karbidbeleggingsring termisk behandling innenfor krystallvekstovnen. Graphites høye termiske konduktivitet distribuerer effektivt varme, forhindrer hotspots og fremmer ensartet krystallvekst. I mellomtiden fungerer TAC -belegget som en termisk barriere, og beskytter grafittkjernen mot direkte eksponering for høye temperaturer og reaktive gasser. Denne synergien mellom kjernen og beleggmaterialene resulterer i en guide ring som ikke bare tåler de tøffe forholdene tilSic krystallvekstmen forbedrer også den generelle effektiviteten og kvaliteten på prosessen.

Vetek Semiconductor tantal karbidbelagt ring er en essensiell komponent i halvlederindustrien, spesielt designet for vekst avSilisiumkarbidkrystaller. Design utnytter styrkene til grafitt- og tantalkarbid for å gi eksepsjonell ytelse i miljøer med høy temperatur, høyspenning. TAC-belegget sikrer kjemisk inerthet, mekanisk holdbarhet og termisk stabilitet, som alle er kritiske for å produsere SIC-krystaller av høy kvalitet. Ved å opprettholde sin integritet og funksjonalitet under ekstreme forhold, støtter ringen effektiv og defektfri vekst av SIC-krystaller, og bidrar til å fremme høye kraft- og høyfrekvente halvlederenheter.

Vetek Semiconductor er en ledende produsent og leverandør avTantal karbidbelegg, SilisiumkarbidbeleggogSpesiell grafitti Kina. Vi har lenge vært opptatt av å tilby avansert teknologi og produktløsninger for halvlederindustrien, og håper inderlig å være din langsiktige partner i Kina.

Tantal karbid (TAC) beleggpå et mikroskopisk tverrsnitt：

Oversikt overSemiconductor Chip Epitaxy Industry Chain：