SiC-belagt støttering

Det halvleder, en ledende produsent og leverandør med base i Kina, spesialiserer seg på å produsere en rekke produkter inkludertSiC-belagte støtteringer, CVD silisiumkarbidbelegg, tantalkarbidbelegg, bulk SiC, SiC-pulver og SiC-materialer med høy renhet. Vår dedikasjon ligger i å tilby omfattende teknisk assistanse og optimale produktoppløsninger skreddersydd for halvledersektoren. Ta gjerne kontakt med oss ​​for mer informasjon og hjelp.

Det halvleder'sSiC-belagte støtteringerer en ny generasjon av høye temperaturresistente materialer. Som korrosjonsbestandige belegg, oksidasjonsresistente belegg og slitasjebestandige belegg, kan de brukes i miljøer over 1650 ℃, og brukes mye i halvlederfelt.

Den høye kvaliteten på egenskapene tilSiC-belagte støtteringerSpill en veldig viktig rolle i den epitaksiale veksten av tredje generasjons halvlederkomponenter.

Opprettholde temperaturenhet: SIC -belagte støttringer har utmerket termisk ledningsevne og kan gi ensartet temperaturfordeling under epitaksial vekst. Dette bidrar til å redusere termiske gradienter og belastninger på skiveoverflaten, og forbedrer dermed kvaliteten på det epitaksiale laget.

Ekstrem kjemisk stabilitet: Under den epitaksiale vekstprosessen,SiC-belagte støtteringerer i stand til å motstå kjemisk angrep fra reaksjonsgassene, forlenge levetiden til støtteringene og opprettholde integriteten til prosessen. Denne kjemiske stabiliteten bidrar til å redusere risikoen for kontaminering og forbedre renheten og ytelsen til halvlederenheter.

Nøyaktig posisjonering: SiC-belagte støtteringer er i stand til å opprettholde den nøyaktige plasseringen av waferen, noe som er avgjørende for å oppnå jevn lagavsetning. Denne nøyaktige plasseringen bidrar til å sikre konsistensen av tykkelsen og kvaliteten på det epitaksiale laget.

Grunnleggende fysiske egenskaper til CVD SiC-belegg:

Forhandler halvleder:

Oversikt over halvlederbrikken Epitaxy Industry Chain: