SiC -belagt tetningsring for epitaxy

Ⅰ. Hva er SIC -belagt tetningsring?

SIC -belagt tetningsring (silisiumkarbidbelagt tetningsring) er en presisjonsforseglingskomponent designet for høy temperatur, svært etsende halvlederprosessmiljøer. Kjernen er gjennom den kjemiske dampavsetningen (CVD) eller fysisk dampavsetning (PVD) prosess, grafitt- eller karbonkomposittmateriale Substratoverflate som er jevnt dekket med et lag med silisiumkarbid (SIC) belegg, dannelsen av begge mekaniske styrken til underlaget og belegget av høye ytelser med høy ytelse.  

Ⅱ. Produktsammensetning og kjerneteknologi  

1. Substratmateriale:

Grafitt eller karbon-karbon komposittmateriale: Basismaterialet har fordelen av høy varmebestandighet (tåler mer enn 2000 ℃) og lav termisk ekspansjonskoeffisient, og sikrer dermed dimensjonsstabilitet under ekstreme forhold som høy temperatur.  

Presisjonsbearbeidingsstruktur: Presisjonsringdesignen kan tilpasses perfekt til hulrommet til halvlederutstyr, og dermed sikre flatheten i tetningsoverflaten og god lufttetthet.  

2. Funksjonell belegg:  

SIC belegg med høy renhet (renhet ≥99,99%): Tykkelsen på coaing er vanligvis 10-50μm, gjennom CVD-prosessen for å danne et lag med tett ikke-porøs overflatestruktur, noe som gir tetningsringens overflate utmerket kjemisk inerthet og mekaniske egenskaper.

Ⅲ. Kjerne fysiske egenskaper og fordeler

Veteksemicons SIC-belagte tetningsringer er ideelle for halvlederpitaksiprosesser på grunn av deres utmerkede ytelse under ekstreme forhold. Nedenfor er de spesifikke fysiske egenskapene til produktet:

IV. Kjerneapplikasjoner i halvlederpitaksibehandling  

SIC -belagt tetningsring brukes hovedsakelig i MOCVD (metall organisk kjemisk dampavsetning) og MBE (Molecular Beam Epitaxy) og annet prosessutstyr, spesifikke funksjoner inkluderer:  

1.

Våre SIC-belagte tetningringer sikrer at dimensjonstoleransene (vanligvis innenfor ± 0,01 mm) fra grensesnittet med utstyrskammeret (f.eks. Flens, baseskaft) er så små som mulig ved å tilpasse ringstrukturen. 

Samtidig er tetningsringen presisjonsmaskinert ved hjelp av CNC -maskinverktøy for å sikre en enhetlig passform rundt hele omkretsen av kontaktflaten, og eliminerer mikroskopiske hull. Dette forhindrer effektivt lekkasje av prosessgasser (f.eks. H₂, NH₃), sikrer renheten i det epitaksiale lagvekstmiljøet, og forbedrer skiven.  

På den annen side kan god gass tetthet også blokkere inntrenging av eksterne miljøgifter (O₂, H₂O), og dermed effektivt unngå defekter i det epitaksiale laget (for eksempel dislokasjoner, ujevn doping av urenheter).  

2.  

Ved å ta i bruk prinsippet om substratbelegg synergistisk anti-deformasjon: På grunn av grafittsubstratets lave koeffisient for termisk ekspansjon (CTE ≈ 4,5 × 10-⁶/° C) er veldig liten, og ved ekstreme temperaturer (＞ 1000 ℃) er det bare 1/Mal-temperaturen. Kombinert med den ultrahøye hardheten i SIC-belegget (HV2500 eller mer), kan den effektivt motstå riper på tetningsoverflaten forårsaket av mekanisk vibrasjon eller påvirkning av partikler, og opprettholde mikroskopisk flathet.

V. Vedlikeholdsanbefalinger

1. Kontroller tetningsoverflatens slitasje (kvartalsvis optisk mikroskopinspeksjon) for å unngå plutselig svikt.  

2. Bruk spesielle rengjøringsmidler (for eksempel vannfri etanol) for å fjerne forekomster, forbyr mekanisk sliping for å forhindre skade på SIC -belegget.