Nettmeny

Produktsøk

Språk

Produkter

MOCVD-teknologi

VeTek Semiconductor har fordeler og erfaring innen MOCVD Technology reservedeler.

MOCVD, det fulle navnet på Metal-Organic Chemical Vapor Deposition (metall-organisk kjemisk dampavsetning), kan også kalles metall-organisk dampfase-epitaksi. Organometalliske forbindelser er en klasse av forbindelser med metall-karbonbindinger. Disse forbindelsene inneholder minst en kjemisk binding mellom et metall og et karbonatom. Metallorganiske forbindelser brukes ofte som forløpere og kan danne tynne filmer eller nanostrukturer på underlaget gjennom ulike avsetningsteknikker.

Metallorganisk kjemisk dampavsetning (MOCVD-teknologi) er en vanlig epitaksial vekstteknologi, MOCVD-teknologi er mye brukt i produksjon av halvlederlasere og lysdioder. Spesielt ved produksjon av lysdioder er MOCVD en nøkkelteknologi for produksjon av galliumnitrid (GaN) og relaterte materialer.

Det er to hovedformer for epitaksi: Liquid Phase Epitaxy (LPE) og Vapor Phase Epitaxy (VPE). Gassfaseepitaksi kan videre deles inn i metall-organisk kjemisk dampavsetning (MOCVD) og molekylær stråleepitaksi (MBE).

Utenlandske utstyrsprodusenter er hovedsakelig representert av Aixtron og Veeco. MOCVD-systemet er et av nøkkelutstyret for produksjon av lasere, lysdioder, fotoelektriske komponenter, strøm, RF-enheter og solceller.

Hovedtrekk ved MOCVD teknologi reservedeler produsert av vårt selskap:

1) Høy tetthet og full innkapsling: grafittbasen som helhet er i et høytemperatur og korrosivt arbeidsmiljø, overflaten må være fullstendig pakket inn, og belegget må ha god fortetting for å spille en god beskyttende rolle.

2) God overflateflathet: Fordi grafittbasen som brukes til enkeltkrystallvekst krever en meget høy overflateflathet, bør den opprinnelige flatheten til basen opprettholdes etter at belegget er klargjort, det vil si at belegglaget må være jevnt.

3) God bindingsstyrke: Reduser forskjellen i termisk ekspansjonskoeffisient mellom grafittbasen og beleggmaterialet, noe som effektivt kan forbedre bindingsstyrken mellom de to, og belegget er ikke lett å knekke etter å ha opplevd høy- og lavtemperaturvarme syklus.

4) Høy termisk ledningsevne: høykvalitets sponvekst krever at grafittbasen gir rask og jevn varme, så beleggmaterialet bør ha høy varmeledningsevne.

5) Høyt smeltepunkt, høy temperatur oksidasjonsmotstand, korrosjonsbestandighet: belegget skal kunne fungere stabilt i høy temperatur og etsende arbeidsmiljø.



Plasser 4 tommers substrat
Blågrønn epitaksi for voksende LED
Plassert i reaksjonskammeret
Direkte kontakt med waferen Plasser 4 tommers substrat
Brukes til å dyrke UV LED epitaksial film
Plassert i reaksjonskammeret
Direkte kontakt med waferen Veeco K868/Veeco K700 Maskin
Hvit LED-epitaksi/Blå-grønn LED-epitaksi Brukes i VEECO-utstyr
For MOCVD-epitaksi
SiC Coating Susceptor Aixtron TS utstyr
Dyp ultrafiolett epitaksi
2-tommers substrat Veeco utstyr
Rød-gul LED-epitaxi
4-tommers wafer-substrat TaC-belagt susceptor
(SiC Epi/UV LED-mottaker) SiC-belagt Susceptor
(ALD/ Si Epi/ LED MOCVD Susceptor)


View as  
 
Sic beleggdekselesegmenter

Sic beleggdekselesegmenter

VTECH Semiconductor er forpliktet til utvikling og kommersialisering av CVD SIC -belagte deler for AixTron -reaktorer. Som et eksempel har våre SIC -beleggdeksler blitt behandlet nøye for å produsere et tett CVD SIC -belegg med utmerket korrosjonsmotstand, kjemisk stabilitet, velkommen til å diskutere applikasjonsscenarier med oss.
Se mer >> Send forespørsel >>
MOCVD -støtte

MOCVD -støtte

MOCVD -sensekteren er karakteristisk med planetarisk plate og profesjonell for sin stabile ytelse i epitaxy. Vetek Semiconductor har rik erfaring med maskinering og CVD SIC -belegg av dette produktet, velkommen til å kommunisere med oss ​​om virkelige saker.
Se mer >> Send forespørsel >>
MOCVD Epitaxial Simesceptor for 4

MOCVD Epitaxial Simesceptor for 4 "Wafer

MOCVD Epitaxial Susceptor for 4" Wafer er designet for å vokse 4" epitaksialt lag.VeTek Semiconductor er en profesjonell produsent og leverandør, som er dedikert til å levere høykvalitets MOCVD Epitaxial Susceptor for 4" Wafer. Med skreddersydd grafittmateriale og SiC-beleggprosess. Vi er i stand til å levere eksperter og effektive løsninger til våre kunder. Du er velkommen til å kommunisere med oss.
Se mer >> Send forespørsel >>
Halvledermottarblokk sic belagt

Halvledermottarblokk sic belagt

Vetek Semiconductor's Semiconductor Symesceptor Block SIC Coated er en svært pålitelig og holdbar enhet. Den er designet for å motstå høye temperaturer og tøffe kjemiske miljøer og samtidig opprettholde stabil ytelse og en lang levetid. Med sine utmerkede prosessfunksjoner, reduserer halvledermottarblokken SIC -belagte frekvensen av erstatning og vedlikehold, og forbedrer dermed produksjonseffektiviteten. Vi ser frem til muligheten til å samarbeide med deg. Velkommen til å konsultere når som helst.
Se mer >> Send forespørsel >>
SiC belagt MOCVD SSECTOROR

SiC belagt MOCVD SSECTOROR

Vetek Semiconductors SIC -belagte MOCVD -sensekter er en enhet med utmerket prosess, holdbarhet og pålitelighet. De tåler høye temperaturer og kjemiske miljøer, opprettholder stabil ytelse og lang levetid, og reduserer dermed frekvensen av erstatning og vedlikehold og forbedrer produksjonseffektiviteten. Vår MOCVD -epitaksiale masceptor er kjent for sin høye tetthet, utmerkede flathet og utmerket termisk kontroll, noe som gjør det til det foretrukne utstyret i tøffe produksjonsmiljøer. Ser frem til å samarbeide med deg. Velkommen til å konsultere når som helst.
Se mer >> Send forespørsel >>
Silisiumbasert GaN-epitaksialstensor

Silisiumbasert GaN-epitaksialstensor

Den silisiumbaserte GaN-epitaksiale sensekteren er kjernekomponenten som kreves for GaN-epitaksialproduksjon. Veteksemicon silisiumbasert GaN-epitaksialsceptor er spesialdesignet for silisiumbasert GaN-epitaksial reaktorsystem, med fordeler som høy renhet, utmerket høy temperaturmotstand og korrosjonsresistens. Velkommen din videre konsultasjon.
Se mer >> Send forespørsel >>
Som profesjonell MOCVD-teknologi produsent og leverandør i Kina har vi vår egen fabrikk. Enten du trenger tilpassede tjenester for å imøtekomme de spesifikke behovene i regionen din eller ønsker å kjøpe avansert og holdbar MOCVD-teknologi laget i Kina, kan du gi oss en melding.
Nyhetsanbefalinger
Hvorfor er tantalkarbid (TaC) belegg overlegent silisiumkarbid (SiC) belegg i SiC enkeltkrystallvekst? - VeTek halvleder
Hvorfor er tantalkarbid (TaC) belegg overlegent silisiumkarbid (SiC) belegg i SiC enkeltkrystallvekst? - VeTek halvlederSe mer >>
Hva er trinnkontrollert epitaksial vekst？
Hva er trinnkontrollert epitaksial vekst？Se mer >>
GaN-basert lavtemperatur epitaksi-teknologi
GaN-basert lavtemperatur epitaksi-teknologiSe mer >>
Hvor tynn kan Taiko -prosessen lage silisiumskiver?
Hvor tynn kan Taiko -prosessen lage silisiumskiver?Se mer >>
Prinsipper og teknologi for fysisk dampavsetning (PVD) belegg (2/2) - VeTek Semiconductor
Prinsipper og teknologi for fysisk dampavsetning (PVD) belegg (2/2) - VeTek SemiconductorSe mer >>
Diamant - fremtidens stjerne for halvledere
Diamant - fremtidens stjerne for halvledereSe mer >>
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept