MOCVD-teknologi

VeTek Semiconductor har fordeler og erfaring innen MOCVD Technology reservedeler.

MOCVD, det fulle navnet på Metal-Organic Chemical Vapor Deposition (metall-organisk kjemisk dampavsetning), kan også kalles metall-organisk dampfase-epitaksi. Organometalliske forbindelser er en klasse av forbindelser med metall-karbonbindinger. Disse forbindelsene inneholder minst en kjemisk binding mellom et metall og et karbonatom. Metallorganiske forbindelser brukes ofte som forløpere og kan danne tynne filmer eller nanostrukturer på underlaget gjennom ulike avsetningsteknikker.

Metallorganisk kjemisk dampavsetning (MOCVD-teknologi) er en vanlig epitaksial vekstteknologi, MOCVD-teknologi er mye brukt i produksjon av halvlederlasere og lysdioder. Spesielt ved produksjon av lysdioder er MOCVD en nøkkelteknologi for produksjon av galliumnitrid (GaN) og relaterte materialer.

Det er to hovedformer for epitaksi: Liquid Phase Epitaxy (LPE) og Vapor Phase Epitaxy (VPE). Gassfaseepitaksi kan videre deles inn i metall-organisk kjemisk dampavsetning (MOCVD) og molekylær stråleepitaksi (MBE).

Utenlandske utstyrsprodusenter er hovedsakelig representert av Aixtron og Veeco. MOCVD-systemet er et av nøkkelutstyret for produksjon av lasere, lysdioder, fotoelektriske komponenter, strøm, RF-enheter og solceller.

Hovedtrekk ved MOCVD teknologi reservedeler produsert av vårt selskap:

1) Høy tetthet og full innkapsling: grafittbasen som helhet er i et høytemperatur og korrosivt arbeidsmiljø, overflaten må være fullstendig pakket inn, og belegget må ha god fortetting for å spille en god beskyttende rolle.

2) God overflateflathet: Fordi grafittbasen som brukes til enkeltkrystallvekst krever en meget høy overflateflathet, bør den opprinnelige flatheten til basen opprettholdes etter at belegget er klargjort, det vil si at belegglaget må være jevnt.

3) God bindingsstyrke: Reduser forskjellen i termisk ekspansjonskoeffisient mellom grafittbasen og beleggmaterialet, noe som effektivt kan forbedre bindingsstyrken mellom de to, og belegget er ikke lett å knekke etter å ha opplevd høy- og lavtemperaturvarme syklus.

4) Høy termisk ledningsevne: høykvalitets sponvekst krever at grafittbasen gir rask og jevn varme, så beleggmaterialet bør ha høy varmeledningsevne.

5) Høyt smeltepunkt, høy temperatur oksidasjonsmotstand, korrosjonsbestandighet: belegget skal kunne fungere stabilt i høy temperatur og etsende arbeidsmiljø.

Plasser 4 tommers substrat
Blågrønn epitaksi for voksende LED
Plassert i reaksjonskammeret
Direkte kontakt med waferen Plasser 4 tommers substrat
Brukes til å dyrke UV LED epitaksial film
Plassert i reaksjonskammeret
Direkte kontakt med waferen Veeco K868/Veeco K700 Maskin
Hvit LED-epitaksi/Blå-grønn LED-epitaksi Brukes i VEECO-utstyr
For MOCVD-epitaksi
SiC Coating Susceptor Aixtron TS utstyr
Dyp ultrafiolett epitaksi
2-tommers substrat Veeco utstyr
Rød-gul LED-epitaxi
4-tommers wafer-substrat TaC-belagt susceptor
(SiC Epi/UV LED-mottaker) SiC-belagt Susceptor
(ALD/ Si Epi/ LED MOCVD Susceptor)