MOCVD SiC belegg susceptor

VeTek SemiconductorMOCVD SiC Coating Susceptor er laget av høy kvalitetgrafitt, som er valgt for sin termiske stabilitet og utmerket termisk ledningsevne (ca. 120-150 W/m · K). De iboende egenskapene til grafitt gjør det til et ideelt materiale å motstå de tøffe forholdene inne iMOCVD-reaktorer. For å forbedre ytelsen og forlenge levetiden, er grafittsusceptoren forsiktig belagt med et lag silisiumkarbid (SiC).

Mocvd sic beleggsceptor er en nøkkelkomponent brukt iKjemisk dampavsetning (CVD)ogmetall organisk kjemisk dampavsetning (MOCVD) prosesser. Hovedfunksjonen er å støtte og varme opp silisium eller silisiumkarbid (SIC) skiver og sikre ensartet gassavsetning i et miljø med høyt temperatur. Det er et uunnværlig produkt i halvlederbehandling.

Bruksområder av MOCVD SIC Coating Symesceptor i halvlederbehandling:

Wafer -støtte og oppvarming:

MOCVD SiC belegg susceptor har ikke bare en kraftig støttefunksjon, men kan også effektivt varme oppoblatjevnt for å sikre stabiliteten til den kjemiske dampavsetningsprosessen. Under avsetningsprosessen kan den høye termiske ledningsevnen til SiC-belegget raskt overføre varmeenergi til hvert område av waferen, og unngå lokal overoppheting eller utilstrekkelig temperatur, og dermed sikre at den kjemiske gassen kan avsettes jevnt på waferoverflaten. Denne ensartede oppvarmings- og avsetningseffekten forbedrer i stor grad konsistensen av waferbehandlingen, gjør overflatefilmtykkelsen til hver wafer jevn og reduserer defektraten, noe som ytterligere forbedrer produksjonsutbyttet og ytelsespåliteligheten til halvlederenheter.

Epitaksi vekst:

IMOCVD -prosess, SiC-belagte bærere er nøkkelkomponenter i vekstprosessen for epitaksi. De brukes spesifikt til å støtte og varme opp silisium- og silisiumkarbidskiver, og sikrer at materialer i den kjemiske dampfasen kan avsettes jevnt og nøyaktig på waferoverflaten, og danner dermed høykvalitets, defektfrie tynnfilmstrukturer. SiC-belegg er ikke bare motstandsdyktige mot høye temperaturer, men opprettholder også kjemisk stabilitet i komplekse prosessmiljøer for å unngå forurensning og korrosjon. Derfor spiller SiC-belagte bærere en viktig rolle i epitaksisk vekstprosessen til høypresisjons-halvlederenheter som SiC-kraftenheter (som SiC MOSFET-er og dioder), LED-er (spesielt blå og ultrafiolette LED-er) og solceller.

Gallium Nitride (GaN)og galliumarsenid (GaAs) epitaksi:

SIC -belagte bærere er et uunnværlig valg for veksten av GaN- og GAAS -epitaksiale lag på grunn av deres utmerkede termiske konduktivitet og lav termisk ekspansjonskoeffisient. Deres effektive termisk ledningsevne kan jevnt fordele varme under epitaksial vekst, og sikre at hvert lag med avsatt materiale kan vokse jevnt ved en kontrollert temperatur. Samtidig lar SICs lave termiske ekspansjon den forbli dimensjonalt stabil under ekstreme temperaturendringer, og effektivt redusere risikoen for skivedeformasjon, og dermed sikre høy kvalitet og konsistens i det epitaksiale laget. Denne funksjonen gjør SIC-belagte transportører til et ideelt valg for å produsere høyfrekvente elektroniske enheter med høy effekt (for eksempel GaN HEMT-enheter) og optisk kommunikasjon og optoelektroniske enheter (for eksempel GAAS-baserte lasere og detektorer).

VeTek SemiconductorMOCVD SiC belegg susceptor butikker: