Horisontal sic wafer transportør

Avtaler halvlederHorisontal sic wafer transportør/Båten har et ekstremt høyt smeltepunkt (ca. 2700°C), noe som muliggjørHorisontal sic wafer transportør/Båten skal fungere stabilt i høytemperaturmiljøer uten deformasjon eller degradering. Denne funksjonen er spesielt viktig i halvlederproduksjonsprosessen, spesielt i prosesser som høytemperaturgløding eller kjemisk dampavsetning (CVD).

DeHorisontal SiC Wafer Carrier/Båt spiller spesifikt følgende roller i prosessen med å bære skivebærere:

Silisium wafer bærer og støtte: Den horisontale Sic Wafer -båten brukes hovedsakelig til å bære og støtte silisiumskiver under halvlederproduksjon. Det kan ordne flere silisiumskiver sammen for å sikre at de forblir i god posisjon og stabilitet gjennom hele prosesseringsprosessen.

Ensartet oppvarming og kjøling: På grunn av den høye termiske ledningsevnen til SiC, kan Wafer Boat effektivt fordele varmen jevnt til alle silisiumskiver. Dette bidrar til å oppnå jevn oppvarming eller avkjøling av silisiumskiver under høytemperaturbehandling, noe som sikrer konsistens og pålitelighet i prosesseringsprosessen.

Forhindre forurensning: Den kjemiske stabiliteten til SIC gjør det mulig å fungere godt i høye temperaturer og etsende gassmiljøer, og dermed redusere eksponeringen av silisiumskiver for mulige forurensninger eller reaktanter, og sikrer renhet og kvalitet på silisiumskiver.

Faktisk kan den horisontale Sic Wafer -båten spille ovennevnte rolle på grunn av dens unike produktegenskaper:

Utmerket kjemisk stabilitet: SIC -materiale har utmerket korrosjonsmotstand mot en rekke kjemiske medier. I prosessen med å behandle etsende gasser eller væsker, kan Sic Wafer -båt effektivt motstå kjemisk korrosjon og beskytte silisiumskiver mot forurensning eller skade.

Høy varmeledningsevne: SICs høye termiske konduktivitet hjelper til med å fordele varme i bærerprosessen og redusere varmeopphopningen. Dette kan forbedre nøyaktigheten av temperaturkontrollen under presisjonsbehandling og sikre jevn oppvarming eller avkjøling av silisiumskiver.

Lav termisk ekspansjonskoeffisient: Den lave termiske ekspansjonskoeffisienten til SIC -materiale betyr at den dimensjonale endringen av SIC -skivebåt er veldig liten under temperaturendringer. Dette bidrar til å opprettholde dimensjonsstabilitet under høye temperaturbehandling og forhindrer deformasjon eller posisjonsforskyvning av silisiumskiver forårsaket av termisk ekspansjon.

Grunnleggende fysiske egenskaper til horisontal SiC Wafer Carrier:

VeTek Semiconductor Production Shop:

Oversikt over industrikjeden for halvlederbrikkeepitaxy: