CVD TAC belagt tre-petal guide ring

Silisiumkarbid enkeltkrystallsubstratmateriale er et slags krystallmateriale, som tilhører bredt båndgap halvledermateriale. Det har fordelene med høyspenningsmotstand, høy temperaturmotstand, høyfrekvens, lavt tap, etc. Det er et grunnleggende materiale for fremstilling av elektroniske enheter med høy effekt og mikrobølgeovn radiofrekvensenheter. For tiden er hovedmetodene for voksende SIC -krystaller fysisk damptransport (PVT -metode), kjemisk dampavsetning med høy temperatur (HTCVD -metode), væskefasemetode, etc.

Metoden for fysisk damptransport (PVT) er en godt etablert teknikk som er svært egnet for industriell produksjon av stor skala. I denne prosessen er en SiC frø -krystall plassert på toppen av digelen, mens SIC -pulver, som serverer som råstoff, plasseres ved digelbunnen. Under betingelsene for høy temperatur og lavt trykk i et lukket miljø sublimerer SiC -pulveret. Drevet av temperaturgradienten og konsentrasjonsforskjellen beveger den sublimerte arten seg oppover mot regionen nær frøkrystallen. Når du har nådd en overmettet tilstand, oppstår rekrystallisering, noe som muliggjør presis kontroll over størrelsen og spesifikk krystalltype av de dyrkede SIC -krystaller.

CVD TAC -belagte tre - kronbladingsringen serverer flere avgjørende funksjoner. Primært forbedrer det fluidmekanikk ved å lede gasstrømmen, og sikrer at krystallvekstområdet blir utsatt for en jevn atmosfære. I tillegg forsvinner den effektivt varme under SIC -krystallvekstprosessen. Ved å opprettholde den passende temperaturgradienten, optimaliserer den vekstbetingelsene for SIC -krystaller og reduserer risikoen for krystalldefekter forårsaket av ujevn temperaturfordeling.