CVD SiC-belegg Epitaksi-susceptor

Veteksemicons CVD SiC Coating Epitaxy Susceptor er et presisjonskonstruert verktøy designet for halvlederwafer-behandling. Denne SiC Coating Epitaxy Susceptor spiller en viktig rolle i å fremme veksten av tynne filmer, epilag og andre belegg, og kan nøyaktig kontrollere temperatur og materialegenskaper. Velkommen videre forespørsler.

Grunnleggendefysiske egenskaper til CVD SiC-belegg:

CVD SiC Coating Epitaksy Susceptor Produktfordeler:

● Nøyaktig avsetning: Susceptor kombinerer et svært termisk ledende grafittsubstrat med et SiC-belegg for å gi en stabil støtteplattform for substrater (som safir, SiC eller GaN). Dens høye varmeledningsevne (som SiC er ca. 120 W/m·K) kan raskt overføre varme og sikre jevn temperaturfordeling på underlagets overflate, og fremmer derved høykvalitetsvekst av epitaksiallaget.

● Redusert forurensning: SiC-belegget fremstilt ved CVD-prosessen har ekstremt høy renhet (urenhetsinnhold <5 ppm) og er svært motstandsdyktig mot korrosive gasser (som Cl₂, NH₃), og unngår forurensning av det epitaksiale laget.

● Varighet: SiCs høye hardhet (Mohs hardhet 9,5) og slitestyrke reduserer det mekaniske tapet av basen ved gjentatt bruk og er egnet for høyfrekvente halvlederproduksjonsprosesser.

VeTeksemicon er forpliktet til å tilby produkter av høy kvalitet og konkurransedyktige priser. Vi ser frem til å være din langsiktige partner i Kina.

VeTek Semiconductor Produktbutikker: