4 tommers isolasjon stivt filt - kropp

Som en profesjonell høykvalitets 4 -tommers isolasjonsstive filt - kroppsprodusent, kan du være trygg på å kjøpe 4 tommers isolasjonsstive filt - kropp fra Vetek Semiconductors fabrikk.

Isolasjonsstivt filt er et slags sammensatt isolasjonsmateriale som er spesielt designet for ekstreme miljøer med høy temperatur, bruk av karbonfiber og karbonklut lamineringskomposittprosess, kombinert med høy temperatur karbonisering/grafitiseringsbehandlingsteknologi, har ultrahøy renhet (aske ≤10 ppm), utmerket termisk stabilitet og mekanisk styrke. Materialet er designet for bruk i termiske isolasjonssystemer i silisiumkarbid (SIC) enkeltkrystallvekstovner for å oppfylle den krevende termiske feltenheten, temperaturgradient og urenhetskontrollkrav til metoden for fysisk dampoverføring (PVT).

Materiale og prosessegenskaper

Komposittstruktur Design

Overflatekarbon-tøyforsterkning: Gjennom en spesiell prosess til karbonfiberfilen og karbonklut-kompositt med høy tetthet, reduserer overflaten for å danne et tett beskyttende lag, effektivt forhindrer luftvask og fiberutgytelse av høy temperatur.

Flerlagsintegrasjonsprosess: Kjernelaget er karbonfiberfilt, og grafittpapiret eller karbonduken er innebygd i midten. Etter sekundær høy temperaturrensing (≥2000 ℃) blir materialstrukturen fortettet og urenhetene fjernes dypt.

Ultra-lav urenhets renhet

Ashinnhold ≤10 ppm, sørg for at det ikke er noen metallioner, sio₂ og andre urenheter flyktning i miljø med høyt temperatur, unngå forurensning av krystallvekstgrensesnittet, forbedre renheten i silisiumkarbid enkeltkrystall og defekt kontrollnivå 19.

Prosesstilpasningsevne

Tilpassede overflatebehandlinger (for eksempel grafittfoliebelegg, antioksidantbelegg), egnet for vakuum eller inert gass (AR, N₂) miljø, driftstemperaturer som dekker 1200 ° C til 3000 ° C.

Kjerneytelsesparameter

Søknadsfelt og fordeler

Silisiumkarbid enkeltkrystallovns varmt feltisolasjon

Som kjernematerialet i ovnisolasjonslaget kan det redusere varmetapet, opprettholde vekstgrensesnittstemperaturgradienten (ΔT≈20-50 ℃/cm), og sikre at den aksiale/radielle veksthastigheten til krystaller er balansert.

Brukes med myk filt for å danne en gradientisolasjonsstruktur, redusere termisk stress og forlenge levetiden til det termiske feltet.

Konkurransefortrinn

Termisk stabilitet: Lav koeffisient for termisk ekspansjon (CTE <2 × 10⁻⁶/℃), utmerket termisk sjokkmotstand, egnet for gjentatte stigende og kjøleforhold.

Økonomi: Sammenlignet med tradisjonell myk filt, økes levetiden med 3-5 ganger, noe som reduserer hyppigheten av erstatning av varmt felt og produksjonskostnader.

Tilpasning: Støttesylinder, plate og andre former for prosessering, dimensjons nøyaktighet opp til ± 0,5 mm, egnet for forskjellig ovndesign.

Typisk applikasjonssak

Vakuum Høytrykk Gass -slukkingsovn: Som et varmeskjold, reduser energiforbruket med mer enn 20%

SIC-krystallvekst i stor størrelse: For 8-tommers krystallovner, termisk felt ensartethetsavvik <1,5%