Sic belagt waferholder

VETEK Semiconductors SIC -belagte skiveholder brukes vanligvis til å fikse og støtte skiver under halvlederbehandling. Det er en høy ytelseWafer -transportørMye brukt i halvlederproduksjon. Ved å belegge et lag med silisiumkarbid (sic) på overflaten avunderlagProduktet kan effektivt forhindre underlaget fra korrosjon, og forbedre korrosjonsmotstanden og den mekaniske styrken til wafer -bæreren, noe som sikrer stabiliteten og presisjonskravene i prosesseringsprosessen.

Sic belagt waferholderbrukes vanligvis til å fikse og støtte skiver under halvlederbehandling. Det er en høy ytelse wafer-transportør som er mye brukt i halvlederproduksjon. Ved å belegge et lag medsilisiumkarbid (sic)På overflaten av underlaget kan produktet effektivt forhindre underlaget fra korrosjon, og forbedre korrosjonsmotstanden og den mekaniske styrken tilWafer -transportør, som sikrer stabilitets- og presisjonskravene i behandlingsprosessen.

Silisiumkarbid (SIC) har et smeltepunkt på omtrent 2.730 ° C og har utmerket termisk ledningsevne på omtrent 120 - 180 W/m · K. Denne egenskapen kan raskt spre varmen i høye temperaturprosesser og forhindre overoppheting mellom skiven og transportøren. Derfor bruker SIC -belagt waferholder vanligvis silisiumkarbid (SIC) belagt grafitt som underlag.

Kombinert med den ekstremt høye hardheten til SIC (Vickers -hardhet på omtrent 2500 HV), kan silisiumkarbid (SIC) belegg avsatt ved CVD -prosessen danne et tett og sterkt beskyttende belegg, noe som forbedrer slitemotstanden til SIC -belagte skiveholderen.

Vetek Semiconductors SIC -belagte waferholder er laget av SIC -belagt grafitt og er en uunnværlig nøkkelkomponent i moderne halvlederpitaksiprosesser. Det kombinerer på en smart måte den utmerkede termiske ledningsevnen til grafitt (termisk ledningsevne er omtrent 100-400 W/m · K ved romtemperatur) og mekanisk styrke, og den utmerkede kjemiske korrosjonsmotstanden og termisk stabilitet av silisiumkarbid (smeltepunktet for SIC er omtrent 2,730 ° C), perfekt som oppfyller de strengende kravene til dagens high 2,730 ° C), perfekt som oppfyller SIC-en som er perfekt.

Denne designinnehaveren av en-wafer kan kontrollere nøyaktigepitaksial prosessParametere, som hjelper til med å produsere høykvalitets, høyytelses halvlederenheter. Den unike strukturelle designen sikrer at skiven håndteres med mest omsorg og presisjon gjennom hele prosessen, og dermed sikrer den utmerkede kvaliteten på det epitaksiale laget og forbedrer ytelsen til det endelige halvlederproduktet.

Som Kinas ledendeSic belagtWafer -innehaverprodusent og leder, Vetek Semiconductor kan tilby tilpassede produkter og tekniske tjenester i henhold til dine utstyrs- og prosesskrav.Vi håper inderlig å være din langsiktige partner i Kina.

SEM -data om CVD SIC -filmkrystallstruktur

Grunnleggende fysiske egenskaper ved CVD SIC -belegg

Vetek Semiconductor SIC -belagte Wafer Holder Productions Shops ：