Nyheter

Med den økende etterspørselen etter SIC -materialer i kraftelektronikk, optoelektronikk og andre felt, vil utviklingen av SIC -krystallvekstteknologi bli et sentralt område for vitenskapelig og teknologisk innovasjon. Som kjernen i SIC enkeltkrystallvekstutstyr vil termisk feltdesign fortsette å få omfattende oppmerksomhet og grundig forskning.

Gjennom kontinuerlig teknologisk fremgang og en grundig mekanismeforskning, forventes 3C-SIC heteroepitaksial teknologi å spille en viktigere rolle i halvlederindustrien og fremme utviklingen av elektroniske enheter med høy effektivitet.

Romlig ALD, romlig isolert atomlagsavsetning. Waferen beveger seg mellom forskjellige posisjoner og blir utsatt for forskjellige forløpere i hver posisjon. Figuren nedenfor er en sammenligning mellom tradisjonell ALD og romlig isolert ALD.

Nylig har det tyske forskningsinstituttet Fraunhofer IISB gjort et gjennombrudd i forskningen og utviklingen av Tantal -karbidbeleggsteknologi, og utviklet en spraybeleggsløsning som er mer fleksibel og miljøvennlig enn CVD -deponeringsløsningen, og har blitt kommersialisert.

I en tid med rask teknologisk utvikling endrer 3D -utskrift, som en viktig representant for avansert produksjonsteknologi, gradvis ansiktet til tradisjonell produksjon. Med kontinuerlig modenhet av teknologi og reduksjon av kostnader, har 3D -utskriftsteknologi vist brede applikasjonsutsikter på mange felt som luftfart, bilproduksjon, medisinsk utstyr og arkitektonisk design, og har fremmet innovasjon og utvikling av disse næringene.

Enkeltkrystallmaterialer alene kan ikke imøtekomme behovene til den voksende produksjonen av forskjellige halvlederenheter. På slutten av 1959 ble et tynt lag med vekstteknologi med enkeltkrystallmateriale - epitaksial vekst utviklet.