Høyrent CVD SiC-belagt wafer-båt

1. Kjerne ytelsesfaktorer?

• Renhet på 7N-nivå:Vi opprettholder en renhetsstandard på 99,99999 % (7N). Dette er ikke omsettelig for å hindre metallforurensninger i å migrere inn i waferen under lange innkjørings- eller oksidasjonstrinn.
• CVD-forseglingen (50–300 μm):Vi «maler» ikke bare overflaten. Vårt 50–300μm CVD SiC-lag skaper en total forsegling over underlaget. Dette eliminerer porøsitet, noe som betyr at båten ikke vil fange opp kjemikalier eller fjerne partikler selv etter gjentatt eksponering for reaktive gasser eller aggressiv SPM/DHF-rengjøring.
• Termisk stivhet:Silicon Carbides naturlige lave termiske ekspansjon holder disse båtene rette. De vil ikke synke eller vri seg under Rapid Thermal Annealing (RTA), og sikrer at robotarmen alltid treffer rett spor uten å blokkere.
• Vedvarende avkastning:Overflaten er konstruert for lav vedheft av biprodukter. Mindre opphopning betyr at færre partikler treffer skivene dine og flere løp mellom rengjøringssyklusene på våte benker.
• Egendefinert geometri:Hver fabrikk har sitt eget oppsett. Vi bearbeider disse til dine spesifikke Pitch and Slot-tegninger, enten du kjører en horisontal ovn eller en vertikal 300 mm automatisert linje.

2. Prosesskompatibilitet

• Atmosfære:Motstandsdyktig mot TMGa, AsH₃ og høykonsentrasjons O₂-miljøer.
• Termisk område:Stabil langtidsdrift opp til 1400°C.
• Materialer:Spesielt utviklet for oksidasjons- og diffusjonsprosesser av Logic, Power og Analog wafere.