Veeco MOCVD Providence

Det halvlederVeeco MocvdWafer -sensekter er en kritisk komponent, nøye konstruert ved bruk av ultrapure grafitt med enSilisiumkarbid (SIC) belegg. DetteSic beleggGir mange fordeler, spesielt muliggjør effektiv termisk overføring til underlaget. Å oppnå optimal termisk fordeling over underlaget er essensielt for ensartet temperaturkontroll, noe som sikrer konsistent, høykvalitets tynnfilmavsetning, noe som er avgjørende for fabrikasjon av halvlederenhet.

Tekniske parametere

Matrise av materialegenskaper

Viktige indikatorer Vetek Standard tradisjonelle løsninger

Basismateriale Renhet 6N Isostatisk grafitt 5N Støpt grafitt

CTE-matchende grad (25-1400 ℃) Δα ≤0,3 × 10⁻⁶/ k Δα ≥1,2 × 10⁻⁶/ k

Termisk konduktivitet @800 ℃ 110 W/M · K 85 W/M · K

Overflateuhet (RA) ≤0,1μm ≥0,5μm

Syretoleranse (pH = 1@80 ℃) 1500 sykluser 300 sykluser

Kjernefordelrekonstruksjon

Termisk ledelsesinnovasjon

Atomic CTE -matchende teknikk

Japan Toyo Carbon Graphite/SGL Substrate + Gradient SiC Coating

Termisk syklusstress redusert med 82% (målte 1400 ℃↔rt 500 sykluser uten sprekker)

Intelligent termisk feltdesign

12-sone temperaturkompensasjonsstruktur: oppnår ± 0,5 ℃ Ensartethet på overflaten av φ200mm wafer

Dynamisk termisk respons: temperaturgradient ≤1,2 ℃/cm ved 5 ℃/s oppvarmingshastighet

Kjemisk beskyttelsessystem
Trippel komposittbarriere

50μm tett sic hovedbeskyttende lag

Nanotac overgangslag (valgfritt)

Gassfaseinfiltrasjonsdensifisering

Bekreftet av ASTM G31-21:

CL -basekorrosjonshastighet <0,003 mm/år

NH3 utsatt for 1000H uten korrosjon

Intelligent produksjonssystem

Digital tvillingbehandling

Femakse Machining Center: Posisjonsnøyaktighet ± 1,5μm

Online 3D -skanningskontroll: 100% verifisering av full størrelse (i samsvar med ASME Y14.5)

Scenariobasert verdipresentasjon

Tredje generasjons halvledermasseproduksjon

Applikasjonsscenario prosessparametere kundefordeler

GAN HEMT 6 tommer /150μm Epitaksial todimensjonal elektrongassdensitetssvingning <2%

SiC MOSFET C Doping Uniformity ± 3% terskelspenningsavvik er redusert med 40%

Mikro LED -bølgelengde Uniformitet ± 1,2 nm chip -søppelhastighet økte med 15%

Vedlikeholdskostnadsoptimalisering

Rengjøringsperioden utvides med 3 ganger: HF: HNO ₃ = 1: 3 rengjøring av høy intensitet støttes

Reservedeler Livsprediksjonssystem: AI -algoritmens nøyaktighet på ± 5%

Vetek Semiconductor Veoeco MOCVD SSECTOR BUTIKKER: