Nyheter

Det er ideelt å bygge integrerte kretsløp eller halvlederenheter på et perfekt krystallinsk baselag. Epitaxy (EPI) -prosessen i halvlederproduksjon har som mål å sette inn et fint enkeltkrystallinsk lag, vanligvis omtrent 0,5 til 20 mikron, på et enkeltkrystallinsk underlag. Epitaxy -prosessen er et viktig trinn i produksjonen av halvlederenheter, spesielt i silisiumskiving.

Hovedforskjellen mellom epitaxy og atomlagsavsetning (ALD) ligger i deres filmvekstmekanismer og driftsforhold. Epitaxy refererer til prosessen med å dyrke en krystallinsk tynn film på et krystallinsk underlag med et spesifikt orienteringsforhold, og opprettholde den samme eller lignende krystallstrukturen. I kontrast er ALD en avsetningsteknikk som innebærer å utsette et underlag for forskjellige kjemiske forløpere i rekkefølge for å danne en tynn film ett atomlag om gangen.

CVD TAC-belegg er en prosess for å danne et tett og holdbart belegg på et underlag (grafitt). Denne metoden innebærer avsetning av TaC på substratoverflaten ved høye temperaturer, noe som resulterer i et tantalkarbid (TaC) belegg med utmerket termisk stabilitet og kjemisk motstand.