Nyheter

Enkeltkrystallmaterialer alene kan ikke imøtekomme behovene til den voksende produksjonen av forskjellige halvlederenheter. På slutten av 1959 ble et tynt lag med vekstteknologi med enkeltkrystallmateriale - epitaksial vekst utviklet.

Silisiumkarbid er et av de ideelle materialene for å lage høye temperaturer, høyfrekvente, høye effekt- og høyspenningsapparater. For å forbedre produksjonseffektiviteten og redusere kostnadene, er forberedelse av silisiumkarbidsubstrater i stor størrelse en viktig utviklingsretning.

I følge utenlandske nyheter avslørte to kilder 24. juni at ByteDance samarbeider med det amerikanske chipdesignselskapet Broadcom for å utvikle en avansert kunstig intelligens (AI) dataprosessor, som vil hjelpe ByteDance med å sikre en tilstrekkelig tilførsel av avanserte brikker midt i spenningene mellom Kina. og USA.